SG-531PTW (水晶発振器 SPXO)

SG-531シリーズSG-531シリーズ

SG-51シリーズSG-51シリーズ

RoHS Compliant

  • 周波数範囲
    :1.025MHz ~ 135MHz
  • 電源電圧
    :3.3V / 5.0V
  • 機能
    :Output enable(OE) or Standby(ST)
  • フルキャンサイズとピンコンパチブル(SG-51)
  • ハーフキャンサイズとピンコンパチブル(SG-531)

仕様(特性)

項目 記号 仕様 条件
SG-531P
SG-51P
SG-531PTJ
SG-51PTJ
出力周波数範囲 f0 1.025MHz ~ 26MHz 26.001MHz ~ 66.667MHz
電源電圧 VCC 5.0V ±0.5V
温度範囲 保存温度 T_stg -55°C ~ +125°C 単品での保存
動作温度 T_use -20°C ~ +70°C
周波数許容偏差 f_tol B: ±50 × 10-6, C: ±100 × 10-6 -20°C ~ +70°C ※1
消費電流 ICC 23mA Max. 35mA Max. 無負荷
ディセーブル時電流 I_dis 12mA Max. 28mA Max. OE=GND
波形シンメトリ SYM 40% ~ 60% - CMOS負荷: 50% VCC レベル
40% ~ 60% 45% ~ 55% TTL負荷: 1.4V レベル
Hレベル出力電圧 VOH VCC-0.4V Min. 2.4V Min. IOH=-400μA
Lレベル出力電圧 VOL 0.4V Max. IOL=16mA(P)/ 8mA(PTJ)
出力負荷条件
(TTL)
L_TTL 10TTL Max. 5TTL Max. L_CMOS ≤ 15pF
出力負荷条件
(CMOS)
L_CMOS 50pF Max. -
HIGHレベル入力電圧 VIH 2.0V Min. 3.5V Min. IIH=1μA Max. (OE=VCC)
LOWレベル入力電圧 VIL 0.8V Max. 1.5V Max. IIL=-10 μA Min. (OE=GND),
PTJ:IIL=-500μA Min. (OE=GND)
出力上昇下降時間 tr / tf 8ns Max. - CMOS負荷:
20% VCC ~ 80% VCC レベル
8ns Max. 5ns Max. TTL負荷: 0.4V ~ 2.4V レベル
発振開始時間 t_str 4ms Max. 10ms Max. 最小電源電圧のtを0とする
周波数経時変化 f_aging ±5 × 10-6 / year Max. +25°C, VCC=5.0V,
初年度

※1 B偏差の対応周波数は55MHzまでです。

仕様(特性)

項目 記号 仕様 条件
SG-531PCG SG-531SCG
出力周波数範囲 f0 1.500MHz ~ 26.000MHz
電源電圧 VCC 2.7V ~ 3.6V
温度範囲 保存温度 T_stg -55°C ~ +125°C 単品での保存
動作温度 T_use -40°C ~ +85°C
周波数許容偏差 f_tol B: ±50 × 10-6 C: ±100 × 10-6 -20°C ~ +70°C
M: ±100 × 10-6 -40°C ~ +85°C
消費電流 ICC 12mA Max. 無負荷
ディセーブル時電流 I_dis 10mA Max. - OE=GND(PCG,PCN)
スタンバイ時電流 I_std - 50μA Max. ST(SCG)
波形シンメトリ SYM 45% ~ 55% 50% VCCレベル,
L_CMOS=Max.
Hレベル出力電圧 VOH VCC-0.4V Min. IOH=-8mA
Lレベル出力電圧 VOL 0.4V Max. IOL=8mA
出力負荷条件(CMOS) L_CMOS 25pF Max.
Hレベル入力電圧 VIH 70% VCC Min. OE 端子 or ST
Lレベル入力電圧 VIL 20% VCC Max.
立ち上がり/
立ち下がり時間
tr / tf 4ns Max. 20% VCC ~ 80% VCC レベル,L_CMOS ≤ Max.
発振開始時間 t_str 12ms Max. t=0 at 90% VCC
周波数経時変化 f_aging ±5 × 10-6 / year Max. +25°C,VCC=3.3V,
初年度

仕様(特性)

項目 記号 仕様 条件
SG-531 PTW
SG-531 STW
SG-531 PHW
SG-531 SHW
SG-531 PCW
SG-531 SCW
出力周波数範囲 f0 55.001MHz ~ 135.000MHz 26.001MHz ~ 135.000MHz
電源電圧 VCC 5.0V ±0.5V 3.3V ±0.3V
温度範囲 保存温度 T_stg -55°C ~ +125°C 単品での保存
動作温度 T_use -20°C ~ +70°C -40°C ~ +85°C
周波数許容偏差 f_tol B: ±50 × 10-6 , C: ±100 × 10-6 -20°C ~ +70°C ※1
- M: ±100 × 10-6 -40°C ~ +85°C
消費電流 ICC 45mA Max. 28mA Max. 無負荷(f0=Max.)
ディセーブル時電流 I_dis 30mA Max. 16mA Max. OE=GND (PTW,PHW,PCW)
スタンバイ時電流 I_std 50μA Max. ST(STW,SHW,SCW)
波形シンメトリ SYM - 40% ~ 60% 50% VCC レベル,L_CMOS=Max.
40% ~ 60% - 1.4V レベル , L_CMOS=Max.
Hレベル出力電圧 VOH VCC-0.4V Min. IOH=-16mA
(PTW,STW,PHW,SHW),
-8mA (PCW,SCW)
Lレベル出力電圧 VOL 0.4V Max. IOL=16mA
(PTW,STW, PHW,SHW),
8mA (PCW,SCW)
出力負荷条件
(TTL)
L_TTL 5TTL Max. - f0 ≤ 90MHz,
最大電源電圧
出力負荷条件
(CMOS)
L_CMOS 15pF Max. 最大出力周波数,
最大電源電圧
Hレベル入力電圧 VIH 2.0V Min. 70% VCC Min. OE端子 or ST
Lレベル入力電圧 VIL 0.8V Max. 20% VCC Max.
立ち上がり/
立ち下がり時間
tr / tf - 4ns Max. 20% VCC ~ 80% VCC レベル,
L_CMOS ≤ Max.
4ns Max. - 0.4V ~ 2.4V レベル
発振開始時間 t_str 10ms Max. 最小電源電圧のtを0とする
周波数経時変化 f_aging ±5 × 10-6 / year Max. +25°C, VCC=5.0V / 3.3V,
初年度

※1 C偏差: f0 ≥ 66.667MHz(PTW,STW, PHW,SHW)

品名例 (標準表記)

品名例/製品型番

外形寸法図

外形寸法図

(単位: mm)

■端子説明
OE端子(P,PTJ,PTW,PHW,PCW,PCN,PCG)
OE端子="H"or"Open":OUT端子に所定の周波数を出力
OE端子="L":出力停止、OUT端子は、ハイインピーダンス

ST(STW,SHW,SCW,SCG)
ST="H"or"Open":OUT端子に所定の周波数を出力
ST="L":発振停止、OUT端子は、ウィークプルダウン

安定動作のため、電源端子(VCC-GND間)のなるべく近い場所に0.01 μF~0.1 μFのパスコンを付けてください。



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