SG-636STW (水晶発振器 SPXO)

SG-636シリーズSG-636シリーズ

RoHS Compliant

  • 周波数範囲
    :2.21675MHz ~ 135MHz
  • 電源電圧
    :3.3V / 5.0V (2.5V)
  • 機能
    :Output enable(OE) or Standby(ST)
  • 外形寸法
    :10.5 × 5.8 × 2.7mm (t: Max.)

仕様(特性)

項目 記号 仕様 条件
SG-636 PTF SG-636 PCE
SG-636 SCE
SG-636 PDE
出力周波数範囲 f0 2.21675MHz ~ 41.000MHz 2.21675MHz ~ 40.000MHz 2.21675MHz ~ 40.000MHz
電源電圧 VCC 5.0V ±0.5V 3.3V ±0.3V 2.5V ±0.25V
温度範囲 保存温度 T_stg -55°C ~ +100°C 単品での保存
動作温度 T_use -20°C ~ +70°C
周波数許容偏差 f_tol C: ±100 × 10-6 -20°C ~ +70°C
消費電流 ICC 17mA Max. 9mA Max. 5mA Max. 無負荷
ディセーブル時電流 I_dis 10mA Max. 5mA Max. 3mA Max. OE=GND
スタンバイ時電流 I_std - 2μA Max. - ST(SCE)
波形シンメトリ SYM 40% ~ 60% 45% ~ 55% CMOS負荷:
50% VCC レベル
45% ~ 55% - TTL負荷:
1.4V レベル
Hレベル出力電圧 VOH VCC-0.4V Min. IOH=-8mA(PTF) /
-4mA(SCE,PCE) /
-3.2mA(PDE)
Lレベル出力電圧 VOL 0.4V Max. IOL=16mA(PTF) /
4mA(SCE,PCE) /
3.2mA(PDE)
出力負荷条件
(TTL)
L_TTL 10TTL Max. - L_CMOS ≤ 15pF
出力負荷条件
(CMOS)
L_CMOS 50pF Max. 30pF Max. 15pF Max.
Hレベル入力電圧 VIH 2.0V Min. 80% VCC Min. OE端子 or
ST (SCE)
Lレベル入力電圧 VIL 0.8V Max. 20% VCC Max.
立ち上がり/
立ち下がり時間
tr / tf 7ns Max. 5ns Max. CMOS負荷:
20% VCC
80% VCC レベル
5ns Max. - TTL負荷:
0.4V ~ 2.4V レベル
発振開始時間 t_str 4ms Max. 4ms Max. 最小電源電圧のtを0とする
周波数経時変化 f_aging ±5 × 10-6 / year Max. +25°C,
VCC=5.0V/ 3.3V/2.5V,
初年度

仕様(特性)

項目 記号 仕様 条件
SG-636 PTG SG-636 PHG SG-636 PCG
SG-636 SCG
出力周波数範囲 f0 2.21675MHz ~ 33.000MHz ※1
電源電圧 VCC 4.5V ~ 5.5V 2.7V ~ 3.6V
温度範囲 保存温度 T_stg -55°C ~ +100°C 単品での保存
動作温度 T_use -20°C ~ +70°C
周波数許容偏差 f_tol B: ±50 × 10-6 C: ±100 × 10-6 -20°C ~ +70°C
消費電流 ICC 25mA Max. 12mA Max. 無負荷
ディセーブル時電流 I_dis 20mA Max. 10mA Max. OE=GND
(PTG,PHG,PCG)
スタンバイ時電流 I_std - 50μA Max. ST(SCG)
波形シンメトリ SYM - 45% ~ 55% 50% VCC レベル,
L_CMOS=25pF
40% ~ 60% - 1.4V レベル,
L_CMOS=25pF
Hレベル出力電圧 VOH 2.4V Min. - VCC-0.4V Min. IOH=-8mA
- VCC-0.4V Min. - IOH=-16mA
Lレベル出力電圧 VOL - 0.4V Max. IOL=8mA
0.4V Max. - IOL=16mA
出力負荷条件
(CMOS)
L_CMOS 25pF Max.
Hレベル入力電圧 VIH 2.0V Min. 70% VCC Min. OE端子 or ST
Lレベル入力電圧 VIL 0.8V Max. 20% VCC Max.
出力上昇下降時間 tr / tf - 3.4ns Max. 4ns Max. 20% VCC ~ 80% VCC レベル,
L_CMOS ≤ 25pF
2.4ns Max. - TTL load:
0.4V ~ 2.4V レベル,
L_CMOS ≤ 25pF
発振開始時間 t_str 12ms Max. t=0 at 90 %VCC
周波数経時変化 f_aging ±5 × 10-6 / year Max. +25°C,
VCC=5.0V/3.3V,
初年度

※1 4.1250MHz < f0 < 4.4336MHz、8.250MHz < f0 < 8.8672MHz、16.500MHz < f0 < 17.7344MHzは対応できません。

仕様(特性)

項目 記号 仕様 条件
SG-636 PTW
SG-636 STW
SG-636 PHW
SG-636 SHW
SG-636 PCW
SG-636 SCW
出力周波数範囲 f0 32.001MHz ~ 135.000MHz
電源電圧 VCC 5.0V ±0.5V 3.3V ±0.3V
温度範囲 保存温度 T_stg -55°C ~ +100°C 単品での保存
動作温度 T_use -20°C ~ +70°C
周波数許容偏差 f_tol B: ±50 × 10-6 C: ±100 × 10-6 -20°C ~ +70°C ※1
消費電流 ICC 45mA Max. 28mA Max. 無負荷(f0=Max.)
ディセーブル時電流 I_dis 30mA Max. 16mA Max. OE=GND
(PTW,PHW,PCW)
スタンバイ時電流 I_std 50μA Max. ST
(STW,SHW,SCW)
波形シンメトリ SYM - 40% ~ 60% 50% VCC レベル,
L_CMOS=Max.
40% ~ 60% - 1.4V レベル,
L_CMOS=Max.
Hレベル出力電圧 VOH VCC-0.4V Min. IOH=-16mA
(PTW,STW, PHW,SHW)/
-8mA(PCW,SCW)
Lレベル出力電圧 VOL 0.4V Max. IOL=16mA
(PTW,STW, PHW,SHW)/
8mA(PCW,SCW)
出力負荷条件
(TTL)
L_TTL 5TTL Max. - f0 ≤ 90MHz,
最大電源電圧範囲
出力負荷条件
(CMOS)
L_CMOS 15pF Max. 最大出力周波数,
最大電源電圧範囲
Hレベル入力電圧 VIH 2.0V Min. 70% VCC Min. OE terminal or ST
Lレベル入力電圧 VIL 0.8V Max. 20% VCC Max.
出力上昇下降時間 tr / tf - 4ns Max. 20% VCC ~ 80% VCC レベル,
L_CMOS ≤ Max.
4ns Max. - 0.4V ~ 2.4V レベル
発振開始時間 t_str 10ms Max. 最小電源電圧のtを0とする
周波数経時変化 f_aging ±5 × 10-6 / year Max. +25°C,
VCC=5.0V / 3.3V,
初年度

※1 SG-636シリーズは、C偏差品の対応周波数は40MHz < f0 ≤ 135MHzとなります。

品名例/製品型番

外形寸法図

外形寸法図

(単位: mm)

端子説明
OE端子(PTF,PCE,PDE,PTW,PHW,PCW,PTG,PHG,PCG)
OE端子="H"or"Open":OUT端子に所定の周波数を出力
OE端子="L":出力停止、OUT端子は、ハイインピーダンス

ST(STW,SHW,SCW,SCG)
ST="H"or"Open":OUT端子に所定の周波数を出力
ST="L":発振停止、OUT端子は、ウィークプルダウン

ST(SCE)
ST="H"or"Open":OUT端子に所定の周波数を出力
ST="L":発振停止、OUT端子は、"L"レベル

※モールド部より内蔵の金属ケースの一部が見える場合がありますが、特性に影響はありません。


フットプリント(推奨)

フットプリント (推奨)

(単位: mm)

安定動作のため、電源端子(VCC-GND間)のなるべく近い場所に0.01 μF~0.1 μFのパスコンを付けてください。


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