SG-211SDE(晶体振荡器 薄型/高精度SPXO)

SG-211SxESG-211SxE

RoHS Compliantpb free
  • 频率范围
    :2.375MHz ~ 60MHz
  • 电源电压
    :1.8V / 2.5V / 3.3V
  • 电流消耗
    :1.2mA Typ. (SEE 1.8V 无负载条件 40MHz)
  • 功能
    :待机 (ST)
  • 外部尺寸规格
    :2.5 × 2.0 × 0.7mm

规格 (特征)

项目 符号 规格说明 条件
SG-211SEE SG-211SDE SG-211SCE
输出
频率范围
f0 2.375MHz ~ 60.000MHz
电源电压 VCC 1.8V Typ.
1.6V ~ 2.2V
2.5V Typ.
2.2V ~ 2.7V
3.3V Typ.
2.7V ~ 3.63V
储存温度 T_stg -40°C ~ +125°C 裸存
工作温度 T_use -40°C ~ +90°C
频率稳定度 *1 f_tol D: ±20 × 10-6, E: ±15 × 10-6 -20°C ~
+70°C
VCC ±10%
回流漂移包含
H: ±20 × 10-6, T: ±15 × 10-6 -40°C ~
+85°C
a: ±15 × 10-6, b: ±20 × 10-6,d: ±25 × 10-6 -40°C ~
+90°C
功耗 ICC 2.3mA Max. 2.5mA Max. 3.5mA Max. 无负载条件,
2.375MHz ≤
f0 ≤ 32MHz
2.8mA Max. 3.0mA Max. 4.0mA Max. 无负载条件,
32MHz <
f0 ≤ 40MHz
3.3mA Max. 3.5mA Max. 4.5mA Max. 无负载条件,
40MHz <
f0 ≤ 48MHz
4.5mA Max. 5.0mA Max. 6.0mA Max. 无负载条件,
48MHz <
f0 ≤ 60MHz
待机电流 I_std 5.0μA Max. ST
占空比 SYM 45% ~ 55% 50% VCC 级别,
L_CMOS ≤ 15pF
输出电压 VOH 90% VCC Min. IOH=-4mA
VOL 10% VCC Max. IOL=4mA
输出
负载条件
(CMOS)
L_CMOS 15pF Max.
输入电压 VIH 80% VCC Min. ST
VIL 20% VCC Max.
上升/
下降时间
tr / tf 4.5ns Max. 20% VCC ~
80% VCC 极,
L_CMOS=15pF
振荡启动
时间
t_str 5ms Max. 在90% VCC 时,所需时间为0秒
频率老化 f_aging 频率稳定度包含 +25°C,第一年,
VCC= 1.8V,
2.5V,3.3V

*1 记载以外、请联系我们

外部尺寸规格

外部尺寸规格

(单位: mm)

ST引脚="H":指定的频率输出。
ST引脚="L":输出为高阻抗,振荡停止。

推荐焊盘尺寸

推荐焊盘尺寸

(单位: mm)

为了维持稳定运行,在接近晶体产品的电源输入端处
(在VCC-GND之间)添加一个0.01~0.1μF的去耦电容。

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