SG5032CCN
5.0x 3.2x 1.1mm

规格（特征）

项目	符号	SG5032CCN	条件
输出频率范围	f0	2.5MHz ~ 50MHz	请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息。
电源电压	VCC	H: 4.5 V ~ 5.5 V
储存温度范围	T_stg	-40°C ~ +125°C	裸存
工作温度范围	T_use	B:-20 °C ~ +70 °C
		G:-40 °C ~ +85 °C
频率稳定度	f_tol	J: ±50 × 10-6
功耗	ICC	20mA Max.	无负载条件
输出禁用电流	I_dis	10mA Max.	OE=GND
占空比	SYM	40 % ~ 60 %	50% VCClevel、L_CMOS ≦ 50 pF
输出电压	VOH	VCC - 0.4V Min.
	VOL	0.4V Max.
输出负载条件(CMOS)	L_CMOS	50 pF Max.
输入电压	VIH	80% VCC Min.	OE终端
	VIL	20% VCC Min.
上升/ 下降时间	tr / tf	5ns Max.	20 % VCC ~ 80 % VCC极, L_CMOS = 50 pF
振荡启动时间	t_str	5ms Max.	在90 % VCC 时，所需时间为0 秒 ,+85°C,
频率老化	f_aging	±5 × 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

产品名称 (标准显示)

外部尺寸规格

(単位: mm)

Note.
OE 引脚 = "H" 或 "打开" ： 指定的频率输出。
OE 引脚 = "L" :  输出为高阻抗。

推荐焊盘尺寸

(単位: mm)

为了维持稳定运行，在接近晶体产品的电源输入端处（在VCC-GND之间）添加一个0.01~0.1uF的去耦电容。