SG-615PCN (晶体振荡器 SPXO)
SG-615系列
- 频率范围
:1.025MHz ~ 135MHz - 电源电压
:3.3V / 5.0V - 功能
:使能(OE) 或 待机(ST)
规格 (特征)
| 项目 | 符号 | 规格说明 | 条件 | |
|---|---|---|---|---|
| SG-615P | SG-615PTJ | |||
| 输出 频率范围 |
f0 | 1.025MHz ~ 26MHz | 26.001MHz ~ 66.667MHz | |
| 电源电压 | VCC | 5.0V ±0.5V | ||
| 储存温度 | T_stg | -55°C ~ +125°C | 裸存 | |
| 工作温度 | T_use | -20°C ~ +70°C | ||
| 频率稳定度 | f_tol | B: ±50 × 10-6, C: ±100 × 10-6 | -20°C ~ +70°C *1 | |
| 功耗 | ICC | 23mA Max. | 35mA Max. | 无负载条件 |
| 输出 禁用电流 |
I_dis | 12mA Max. | 28mA Max. | OE=GND |
| 占空比 | SYM | 40% ~ 60% | - | CMOS负载:50% VCC极 |
| 40% ~ 60% | 45% to 55% | TTL负载:1.4V 极 | ||
| 输出电压 | VOH | VCC-0.4V Min. | 2.4V Min. | IOH=-400μA |
| VOL | 0.4V Max. |
IOL=16mA(P) IOL=8mA(PTJ) |
||
| 输出 负载条件 （TTL） |
L_TTL | 10TTL Max. | 5TTL Max. | L_CMOS ≤ 15pF |
| 输出 负载条件 （CMOS） |
L_CMOS | 50pF Max. | - | |
| 输入电压 | VIH | 2.0V Min. | 3.5V Min. | IIH=1μA Max. (OE=VCC) |
| VIL | 0.8V Max. | 1.5V Max. | IIL=-100μA Min. (OE=GND),
PTJ:IIL=-500μA Min. (OE=GND) |
|
| 上升/下降 时间 |
tr / tf | 8ns Max. | - | CMOS负载: 20% VCC~80% VCC极 |
| 8ns Max. | 5ns Max. | TTL负载: 0.4V ~ 2.4V极 |
||
| 振荡启动 时间 |
t_str | 4ms Max. | 10ms Max. | 在电源电压最低时， 所需时间为0秒 |
| 频率老化 | f_aging | ±5 × 10-6 / year Max. | +25°C,第一年 VCC=5.0V, |
|
*1 "B"公差将用于高达55MHz。
规格（特征）
| 项目 | 符号 | 规格说明 | 条件 | ||
|---|---|---|---|---|---|
| SG-615PCG | SG-615SCG | SG-615PCN | |||
| 输出 频率范围 |
f0 | 1.500MHz ~ 26.000MHz | 26.001MHz ~ 66.667MHz | ||
| 电源电压 | VCC | 2.7V ~ 3.6V | 3.0V ~ 3.6V | ||
| 储存温度 | T_stg | -55°C ~ +125°C | 裸存 | ||
| 工作温度 | T_use | -40°C ~ +85°C | |||
| 频率稳定度 | f_tol | B: ±50 × 10-6 C: ±100 × 10-6 | -20°C ~ +70°C | ||
| M: ±100 × 10-6 | -40°C ~ +85°C | ||||
| 功耗 | ICC | 12mA Max. | 20mA Max. | 无负载条件 | |
| 输出 禁用电流 |
I_dis | 10mA Max. | - | 10mA Max. | OE=GND(PCG,PCN) |
| 待机电流 | I_std | - | 50μA Max. | - | ST(SCG) |
| 占空比 | SYM | 45% ~ 55% | 50% VCC极, L_CMOS=Max. |
||
| 输出电压圧 | VOH | VCC-0.4V Min. | VCC-0.4V Min. | IOH=-8mA | |
| VOL | 0.4V Max. | 0.4V Max. | IOL=8mA | ||
| 输出 负载条件 |
L_CMOS | 25pF Max. | 15pF Max. | ||
| 输入电压 | VIH | 70% VCC Min. | 70% VCC Min. | OE终端或ST | |
| VIL | 20% VCC Max. | 30% VCC Max. | |||
| 上升/下降 时间 |
tr / tf | 4ns Max. | 20% VCC~80% VCC极, L_CMOS ≤ Max. |
||
| 振荡启动 时间 |
t_str | 12ms Max. | 10ms Max. | 在 90% VCC时，t=0 | |
| 频率老化 | f_aging | ±5 × 10-6 / year Max. | +25°C,第一年 VCC=3.3V |
||
规格（特征）
| 项目 | 符号 | 规格说明 | 条件 | ||
|---|---|---|---|---|---|
| SG-615 PTW SG-615 STW |
SG-615 PHW SG-615 SHW |
SG-615 PCW SG-615 SCW |
|||
| 输出频率范围 | f0 | 55.001MHz ~ 135.000MHz | 26.001MHz ~ 135.000MHz | ||
| 电源电压 | VCC | 5.0V ±0.5V | 3.3V ±0.3V | ||
| 储存温度 | T_stg | -55°C ~ +125°C | 裸存 | ||
| 工作温度 | T_use | -20°C ~ +70°C | -40°C ~ +85°C | ||
| 频率稳 定度 |
f_tol | B: ±50 × 10-6 , C: ±100 × 10-6 | -20°C ~ +70°C *1 | ||
| - | M: ±100 × 10-6 | -40°C ~ +85°C | |||
| 功耗 | ICC | 45mA Max. | 28mA Max. | 无负载条件 （最大频率范围） | |
| 输出 禁用电流 |
I_dis | 30mA Max. | 16mA Max. | OE=GND(PTW,PHW,PCW) | |
| 待机电流 | I_std | 50μA Max. | ST(STW,SHW,SCW) | ||
| 占空比 | SYM | - | 40% ~ 60% | 50% VCC 极, L_CMOS=Max. |
|
| 40% ~ 60% | - | 1.4V 极 ,L_CMOS=Max. | |||
| 输出电压 | VOH | VCC-0.4V Min. | IOH=-16mA(PTW,STW,PHW,SHW) IOH=-8mA(PCW,SCW) |
||
| VOL | 0.4V Max. | IOL=16mA(PTW,STW,PHW,SHW) IOL=8mA(PCW,SCW) |
|||
| 输出 负载条件 （TTL） |
L_TTL | 5TTL Max. | - | f0 ≤ 90MHz, 最大电源电压 |
|
| 输出 负载条件 （CMOS） |
L_CMOS | 15pF Max. | 最大频率, 最大电源电压 |
||
| 输入电压 | VIH | 2.0V Min. | 70% VCC Min. | OE终端或 ST | |
| VIL | 0.8V Max. | 20% VCC Max. | |||
| 上升/ 下降时间 |
tr / tf | - | 4ns Max. | 20% VCC~80% VCC极, L_CMOS ≤ Max. |
|
| 4ns Max. | - | 0.4V ~ 2.4V 极 | |||
| 振荡启动 时间 |
t_str | 10ms Max. | 在电源电压最低时， 所需时间为0秒 |
||
| 频率老化 | f_aging | ±5 × 10-6 / year Max. | +25°C,第一年 VCC=5.0V, 3.3V |
||
*1 "C"公差：f0 ≥ 66.667MHz(PTW,STW,PHW,SHW )
外部尺寸规格
(单位: mm)
推荐焊盘尺寸
(单位: mm)
