SG-636SCW (晶体振荡器 SPXO)

SG-636系列SG-636系列

RoHS Compliant
  • 频率范围
    :2.21675MHz ~ 135MHz
  • 电源电压
    :2.5V / 3.3V / 5.0V
  • 功能
    :使能(OE) 或 待机(ST)
  • 外部尺寸规格
    :10.5 × 5.8 × 2.7mm (t: Max.)

规格 (特征)

项目 符号 规格说明 条件
SG-636 PTF SG-636 PCE
SG-636 SCE
SG-636 PDE
输出
频率范围
f0 2.21675MHz ~ 41.000MHz 2.21675MHz ~ 40.000MHz 2.21675MHz ~ 40.000MHz
电源电压 VCC 5.0V ±0.5V 3.3V ±0.3V 2.5V ±0.25V
储存温度 T_stg -55°C ~ +100°C 裸存
工作温度 T_use -20°C ~ +70°C
频率稳
定度
f_tol C: ±100 × 10-6 -20°C ~ +70°C
功耗 ICC 17mA Max. 9mA Max. 5mA Max. 无负载条件
输出
禁用电流
I_dis 10mA Max. 5mA Max. 3mA Max. OE=GND
待机电流 I_std - 2μA Max. - ST(SCE)
占空比 SYM 40% ~ 60% 45% ~ 55% CMOS 负载: 50% VCC
45% ~ 55% - TTL load:1.4V 极
输出电压 VOH VCC-0.4V Min. IOH=-8mA(PTF)
IOH=-4mA(SCE,PCE)
IOH=-3.2mA(PDE)
VOL 0.4V Max. IOL=16mA(PTF)
IOL=4mA(SCE,PCE)
IOL=3.2mA(PDE)
输出
负载条件
(TTL)
L_TTL 10TTL Max. - L_CMOS ≤ 15pF
输出
负载条件
(CMOS)
L_CMOS 50pF Max. 30pF Max. 15pF Max.
输入电压 VIH 2.0V Min. 80% VCC Min. OE终端 或 ST (SCE)
VIL 0.8V Max. 20% VCC Max.
上升/
下降时间
tr / tf 7ns Max. 5ns Max. CMOS 负载:
20% VCC~80% VCC
5ns Max. - TTL 负载:
0.4V ~2.4V极
振荡启动
时间
t_str 4ms Max. 4ms Max. 在电源电压最低时,
所需时间为0秒
频率老化 f_aging ±5 × 10-6 / year Max. +25°C,第一年
VCC=5.0V,3.3V,2.5V,

规格(特征)

项目 符号 规格说明 条件
SG-636 PTG SG-636 PHG SG-636 PCG
SG-636 SCG
输出
频率范围
f0 2.21675MHz ~ 33.000MHz *1
电源电压 VCC 4.5V ~ 5.5V 2.7V ~ 3.6V
储存温度 T_stg -55°C ~ +100°C 裸存
工作温度 T_use -20°C ~ +70°C
频率稳
定度
f_tol B: ±50 × 10-6 C: ±100 × 10-6 -20°C ~ +70°C
功耗 ICC 25mA Max. 12mA Max. 无负载条件
输出
禁用电流
I_dis 20mA Max. 10mA Max. OE=GND(PTG,PHG,PCG)
待机电流 I_std - 50μA Max. ST(SCG)
占空比 SYM - 45% ~ 55% 50% VCC极,L_CMOS=25pF
40% ~ 60% - 1.4V 极,L_CMOS=25pF
输出电压 VOH 2.4V Min. - VCC-0.4V Min. IOH=-8mA
- VCC-0.4V Min. - IOH=-16mA
VOL - 0.4V Max. IOL=8mA
0.4V Max. - IOL=16mA
输出
负载条件
L_CMOS 25pF Max.
输入电压 VIH 2.0V Min. 70% VCC Min. OE 终端 或 ST
VIL 0.8V Max. 20% VCC Max.
上升/
下降时间
tr / tf - 3.4ns Max. 4ns Max. 20% VCC~80% VCC极,
L_CMOS ≤ 25pF
2.4ns Max. - TTL 负载:
0.4V~2.4V极,
L_CMOS ≤ 25pF
振荡启动
时间
t_str 12ms Max. 在 90% VCC的时候,t=0
频率老化 f_aging ±5 × 10-6 / year Max. +25°C,第一年
VCC=5.0V,3.3V

*1 4.1250MHz < f0 < 4.4336MHz, 8.250MHz < f0 < 8.8672MHz, 16.500MHz < f0 < 17.7344MHz :不可用

规格(特征)

项目 符号 规格说明 条件
SG-636 PTW
SG-636 STW
SG-636 PHW
SG-636 SHW
SG-636 PCW
SG-636 SCW
输出
频率范围
f0 32.001MHz ~ 135.000MHz
电源电压 VCC 5.0V ±0.5V 3.3V ±0.3V
储存温度 T_stg -55°C ~ +100°C 裸存
工作温度 T_use -20°C ~ +70°C
频率稳
定度
f_tol B: ±50 × 10-6 C: ±100 × 10-6 -20°C ~ +70°C *1
功耗 ICC 45mA Max. 28mA Max. 无负载条件(最大频率范围)
输出
禁用电流
I_dis 30mA Max. 16mA Max. OE=GND(PTW,PHW,PCW)
待机电流 I_std 50μA Max. ST(STW,SHW,SCW)
占空比 SYM - 40% ~ 60% 50% VCC极,L_CMOS=Max.
40% ~ 60% - 1.4V 极,L_CMOS=Max.
输出电压 VOH VCC-0.4V Min. IOH=-16mA(PTW,STW,PHW,SHW)
IOH=-8mA(PCW,SCW)
VOL 0.4V Max. IOL=16mA(PTW,STW,PHW,SHW)
IOL=8mA(PCW,SCW)
输出
负载条件
(TTL)
L_TTL 5TTL Max. - - f0 ≤ 90MHz,
最大电源电压
输出
负载条件
(CMOS)
L_CMOS 15pF Max. 最大频率,
最大电源电压
输入电压 VIH 2.0V Min. 70% VCC Min. OE 终端 或 ST
VIL 0.8V Max. 20% VCC Max.
上升/
下降时间
tr / tf - 4ns Max. 20% VCC~80% VCC极,
L_CMOS ≤ Max.
4ns Max. - - 0.4V ~ 2.4V 极
振荡启动
时间
t_str 10ms Max. 在电源电压最低时,
所需时间为0秒
频率老化 f_aging ±5 × 10-6 / year Max. +25°C,第一年
VCC=5.0V,3.3V

*1 SG-636 系列 "C"公差: 40MHz<f0≤135MHz

外部尺寸规格

外部尺寸规格

(单位: mm)

在该产品顶部或底部可能暴露着金属材料。
但这不影响任何质量、可靠性或电气规范等。 说明:
OE引脚 (PTF,PH,PCE,PDE,PTW,PHW,PCW,PTG,PHG,PCG)
OE引脚= "H"或"打开":指定的频率输出。
OE引脚= "L":输出为高阻抗。 ST引脚 (STW, SHW, SCW,SCG)
ST引脚 = "H"或"打开":指定的频率输出。
ST引脚 = "L":输出为低价,振荡停止。 ST引脚 (SCE)
ST引脚 = "H"或"打开":指定的频率输出。
ST引脚 = "L":输出为弱下拉,振荡停止。

推荐焊盘尺寸

推荐焊盘尺寸

(单位: mm)

为了维持稳定运行,在接近晶体产品的电源输入端处
(在VCC-GND之间)添加一个0.01~0.1μF的去耦电容。

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