XG5032HAN (晶体振荡器 低抖动表面声波(SAW)振荡器)

XG5032HANXG5032HAN

RoHS Compliant pb free
  • 频率范围
    :100MHz to 200MHz
  • 电源电压
    :2.5V Typ. / 3.3V Typ.
  • 输出
    :HCSL
  • 功能
    :Output enable (OE)
  • 外部尺寸规格
    :5.0 × 3.2 × 1.4mm
  • SAW单元的极低抖动振荡器

规格(特征)

项目 符号 规格说明 条件
出力周波数範囲 f0 100MHz to 200MHz 请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息。
电源电压 VCC C : 3.3V ± 0.33V
D : 2.5V ± 0.125V
储存温度 T_stg -55°C to +125°C 作为单一产品存储
工作温度 T_use A : 0°C to +70°C
B : -20°C to +70°C
D : -5°C to +85°C
频率稳定度 f_tol J : ± 50 × 10-6
L : ±100 × 10-6
功耗 ICC 35mA Max. OE = VCC , 输出负载有
输出禁用电流 I_dis 15mA Max. OE = GND
占空比 SYM 45% to 55% 在输出交叉点
输出电压 VOH 0.75 V Typ.
0.66V to 0.85V
DC特征, 单输出
VOL 0 V Typ.
-0.15V to 0.15V
交叉点电压 VCR 0.25V to 0.55V  
输出负载条件
L_HCSL 50Ω 如下测量电路所示
RS 33Ω
CL 2pF
输入电压 VIH 70% VCC Min. OE终端
VIL 30% VCC Max.
微分输出上升/下降时间 Rr / Rf 1 V/n to 4V/ns -0.15 V to 0.15 V 微分输出
振荡启动时间 t_str 10ms Max. 在电源电压最低时,所需时间为0秒
相位抖动 tPJ 0.3ps Max. f0 ≦ 160MHz 抵消频率:
12 kHz ~ 20 MHz
0.4ps Max. 160MHz < f0 ≦ 175MHz
0.2ps Max. f0 > 175MHz
频率老化*1 f_aging N : ± 10 × 10-6 / year Max. 第一年 +25 °C ,
VCC = 2.5V , 3.3 V
A : 频率稳定度包含 10年

 

型号内訳表

测量电路

block

  • 去耦电容1(大约0.01uF ~ 0.1uF)放置在靠近VCC和GND之间。
  • 去耦电容2(大约10uF)放置在靠近板上供电脚的地方
  • 50Ω终端的输出线路长L,下式的价值

外形寸法図

dimention

(単位: mm)

OE 引脚 = HIGH : 指定的频率输出。

OE 引脚 = LOW : 输出

推荐焊盘尺寸

footprint

(単位: mm)

为了维持稳定运行,在接近晶体产品的电源输入端处(在VCC-GND之间)添加一个0.01 µF ~ 0.1 µF的去耦电容。

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