TG5032CDN

规格（特征）

项目	符号	TG5032CDN (CMOS)				条件
		VC-TCXO	TCXO
输出频率范围	f0	10 MHz ~ 50 MHz
		19.2 , 26 , 30.72 , 40 MHz				标准频率
电源电压	VCC	C : 3.3 V ± 5 % , H : 5.0 V ± 5 % (电源电压范围 : 2.7 V ~ 5.5 V)
储存温度范围	T_stg	-40 °C ~ +90 °C				存储为单一产品
工作温度范围	T_use	A : 0 °C ~ +70 °C				标准温度范围
频率初期公差	f_tol	±2.0 × 10-6 Max.				在回流焊后 , +25 °C
频率温度特征*1	fo-TC	A : ±0.1 × 10-6 Max.				A : 0 ~ +70 °C (标准)
		H : ±0.25 × 10-6 Max.				G : -40 ~ +85 °C (选择)
频率负载变动特征	fo-Load	±0.1 × 10-6 Max. ( 10 MHz ≦ f0 ≦ 40 MHz )				Load ±10 %
		±0.2 × 10-6 Max. ( 40 MHz < f0 ≦ 50 MHz )
频率电源电压特征	fo-VCC	±0.1 × 10-6 Max. ( 10 MHz ≦ f0 ≦ 40 MHz )				VCC ± 5 %
		±0.2 × 10-6 Max. ( 40 MHz < f0 ≦ 50 MHz )
频率老化*2	f_age	±0.02 × 10-6 Max.				+25 °C , 24时间
		±1.0 × 10-6 Max.				+25 °C , 第一年
功耗	ICC	5.0 mA Max. ( 3.3 V ) / 6.0 mA Max. ( 5.0 V )				10 MHz ≦ f0 ≦ 26 MHz
		6.0 mA Max. ( 3.3 V ) / 8.0 mA Max. ( 5.0 V )				26 MHz < f0 ≦ 40 MHz
		8.0 mA Max. ( 3.3 V ) / 10.0 mA Max. ( 5.0 V )				40 MHz < f0 ≦ 50 MHz
输入电阻	Rin	100 kΩ Min.	-			VC - GND (DC)
频率控制范围	f_cont	± 5 × 10-6 ~ ± 10 ×10-6	-			D : VC = 1.5 V ± 1.0 V at VCC = 3.3 V E : VC = 1.65 V ± 1.0 V at VCC = 3.3 V H : VC = 2.5 V ± 2.0 V at VCC = 5.0 V
频率变化极	-	正极	-
占空比	SYM	45 % ~ 55 %				GND极 (DC 切割)
输出电压	VOH	90 % VCC Min.
	VOL	10 % VCC Max.
上升/下降 时间	tr/tf	8.0 ns Max.				10 % VCC ~ 90 % VCC 极 输出负载 : 15 pF
振荡启动时间	t_str	5.0 ms Max.				在90 % VCC 时，所需时间为0 秒
输出负载	Load	15 pF

说明：请联系我们以便获取上述内容未涉及的其它规格产品的相关信息
*1 频率(fmax+fmin)/2 基准
*2 工作开始48 时间后基准

产品名称(标准显示)

外部尺寸规格

(単位: mm)

推荐焊盘尺寸

(単位: mm)

为了维持稳定运行，在接近晶体产品的电源输入端处（在V_CC - GND 之间）添加一个0.1µF的去耦电容