TG5032CDN (TCXO/VC-TCXO超高精度 4 引脚)
- 频率范围
:10MHz to 50MHz
- 电源电压
:3.3V Typ. / 5.0V Typ.
- 频率温度特征
:±0.1× 10-6 Max. *1
- 频率老化
:±0.02× 10-6 Max. / 24时间 *2
- 外部尺寸
:5.0 × 3.2 × 1.45mm(4 引脚)
- 应用
:Femto Cell, Small Cells
- 特性
:超高精度
TG5032CDN
Design Support Data Download
规格(特征)
项目 | 符号 | TG5032CDN (CMOS) |
条件 | |||
---|---|---|---|---|---|---|
VC-TCXO | TCXO | |||||
输出频率范围 | f0 | 10 MHz ~ 50 MHz | ||||
19.2 , 26 , 30.72 , 40 MHz | 标准频率 | |||||
电源电压 | VCC | C : 3.3 V ± 5 % , H : 5.0 V ± 5 % (电源电压范围 : 2.7 V ~ 5.5 V) | ||||
储存温度范围 | T_stg | -40 °C ~ +90 °C | 存储为单一产品 | |||
工作温度范围 | T_use | A : 0 °C ~ +70 °C | 标准温度范围 | |||
频率初期公差 | f_tol | ±2.0 × 10-6 Max. | 在回流焊后 , +25 °C | |||
频率温度特征*1 | fo-TC | A : ±0.1 × 10-6 Max. | A : 0 ~ +70 °C (标准) | |||
H : ±0.25 × 10-6 Max. | G : -40 ~ +85 °C (选择) | |||||
频率负载变动特征 | fo-Load | ±0.1 × 10-6 Max. ( 10 MHz ≦ f0 ≦ 40 MHz ) | Load ±10 % | |||
±0.2 × 10-6 Max. ( 40 MHz < f0 ≦ 50 MHz ) | ||||||
频率电源电压特征 | fo-VCC | ±0.1 × 10-6 Max. ( 10 MHz ≦ f0 ≦ 40 MHz ) | VCC ± 5 % | |||
±0.2 × 10-6 Max. ( 40 MHz < f0 ≦ 50 MHz ) | ||||||
频率老化*2 | f_age | ±0.02 × 10-6 Max. | +25 °C , 24时间 | |||
±1.0 × 10-6 Max. | +25 °C , 第一年 | |||||
功耗 | ICC | 5.0 mA Max. ( 3.3 V ) / 6.0 mA Max. ( 5.0 V ) | 10 MHz ≦ f0 ≦ 26 MHz | |||
6.0 mA Max. ( 3.3 V ) / 8.0 mA Max. ( 5.0 V ) | 26 MHz < f0 ≦ 40 MHz | |||||
8.0 mA Max. ( 3.3 V ) / 10.0 mA Max. ( 5.0 V ) | 40 MHz < f0 ≦ 50 MHz | |||||
输入电阻 | Rin | 100 kΩ Min. | - | VC - GND (DC) | ||
频率控制范围 | f_cont | ± 5 × 10-6 ~ ± 10 ×10-6 | - | D : VC = 1.5 V ± 1.0 V at VCC = 3.3 V E : VC = 1.65 V ± 1.0 V at VCC = 3.3 V H : VC = 2.5 V ± 2.0 V at VCC = 5.0 V |
||
频率变化极 | - | 正极 | - | |||
占空比 | SYM | 45 % ~ 55 % | GND极 (DC 切割) | |||
输出电压 | VOH | 90 % VCC Min. | ||||
VOL | 10 % VCC Max. | |||||
上升/下降 时间 | tr/tf | 8.0 ns Max. | 10 % VCC ~ 90 % VCC 极 输出负载 : 15 pF |
|||
振荡启动时间 | t_str | 5.0 ms Max. | 在90 % VCC 时,所需时间为0 秒 | |||
输出负载 | Load | 15 pF |
说明:请联系我们以便获取上述内容未涉及的其它规格产品的相关信息
*1 频率(fmax+fmin)/2 基准
*2 工作开始48 时间后基准
产品名称(标准显示)
外部尺寸规格
(単位: mm)
推荐焊盘尺寸
(単位: mm)
为了维持稳定运行,在接近晶体产品的电源输入端处(在VCC - GND 之间)添加一个0.1µF的去耦电容