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TG5032CDN (TCXO/VC-TCXO超高精度　4 引脚)

  • 频率范围
    :10MHz to 50MHz
  • 电源电压
    :3.3V Typ. / 5.0V Typ.
  • 频率温度特征
    :±0.1× 10-6 Max. *1
  • 频率老化
    :±0.02× 10-6 Max. / 24时间 *2
  • 外部尺寸
    :5.0 × 3.2 × 1.45mm(4 引脚)
  • 应用
    :Femto Cell, Small Cells
  • 特性
    :超高精度

Pb free

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TG5032CDN
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规格（特征）

项目 符号 TG5032CDN
(CMOS)		 条件
VC-TCXO TCXO
输出频率范围 f0 10 MHz ~ 50 MHz  
19.2 , 26 , 30.72 , 40 MHz 标准频率
电源电压 VCC C : 3.3 V ± 5 % , H : 5.0 V ± 5 % (电源电压范围 : 2.7 V ~ 5.5 V)  
储存温度范围 T_stg -40 °C ~ +90 °C 存储为单一产品
工作温度范围 T_use A : 0 °C ~ +70 °C 标准温度范围
频率初期公差 f_tol ±2.0 × 10-6 Max. 在回流焊后 , +25 °C
频率温度特征*1 fo-TC A : ±0.1 × 10-6 Max. A : 0 ~ +70 °C (标准)
H : ±0.25 × 10-6 Max. G : -40 ~ +85 °C (选择)
频率负载变动特征 fo-Load ±0.1 × 10-6 Max. ( 10 MHz ≦ f0 ≦ 40 MHz ) Load ±10 %
±0.2 × 10-6 Max. ( 40 MHz < f0 ≦ 50 MHz )
频率电源电压特征 fo-VCC ±0.1 × 10-6 Max. ( 10 MHz ≦ f0 ≦ 40 MHz ) VCC ± 5 %
±0.2 × 10-6 Max. ( 40 MHz < f0 ≦ 50 MHz )
频率老化*2 f_age ±0.02 × 10-6 Max. +25 °C , 24时间
±1.0 × 10-6 Max. +25 °C , 第一年
功耗 ICC 5.0 mA Max. ( 3.3 V ) / 6.0 mA Max. ( 5.0 V ) 10 MHz ≦ f0 ≦ 26 MHz
6.0 mA Max. ( 3.3 V ) / 8.0 mA Max. ( 5.0 V ) 26 MHz < f0 ≦ 40 MHz
8.0 mA Max. ( 3.3 V ) / 10.0 mA Max. ( 5.0 V ) 40 MHz < f0 ≦ 50 MHz 
输入电阻 Rin 100 kΩ Min. - VC - GND (DC)
频率控制范围 f_cont ± 5 × 10-6 ~ ± 10 ×10-6 - D : VC = 1.5 V ± 1.0 V at VCC = 3.3 V
E : VC = 1.65 V ± 1.0 V at VCC = 3.3 V
H : VC = 2.5 V ± 2.0 V at VCC = 5.0 V
频率变化极 - 正极 -  
占空比 SYM 45 % ~ 55 % GND极 (DC 切割)
输出电压 VOH 90 % VCC Min.  
VOL 10 % VCC Max.  
上升/下降 时间 tr/tf 8.0 ns Max. 10 % VCC ~ 90 % VCC 极
输出负载 : 15 pF
振荡启动时间 t_str 5.0 ms Max. 在90 % VCC 时，所需时间为0 秒
输出负载 Load 15 pF  

说明：请联系我们以便获取上述内容未涉及的其它规格产品的相关信息
*1 频率(fmax+fmin)/2 基准
*2 工作开始48 时间后基准

产品名称(标准显示)

品名例

外部尺寸规格

dimension

(単位: mm)

推荐焊盘尺寸

footprint

(単位: mm)

为了维持稳定运行，在接近晶体产品的电源输入端处（在VCC - GND 之间）添加一个0.1µF的去耦电容


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