TG5032CFN (TCXO/VC-TCXO超高精度 4 引脚)

TG5032CFNTG5032CFN

Complies with EU RoHS directive.

Pb free.

  • 频率范围
    :10 MHz to 40 MHz
  • 输出波形
    :CMOS
  • 电源电压
    :3.3 V Typ.
  • 频率温度特征
    :± 0.1 × 10-6 Max. (-40 °C ~ +85°C)
  • 频率老化
    :± 3.0 × 10-6 Max. / 20 years
  • 外部尺寸
    :5.0 × 3.2 × 1.45mm (4 引脚)
  • 应用
    :Small Cells, Stratum3, SyncE, IEEE1588
  • 特性
    :超高精度, 広温度范围

规格(特征)

项目 符号 TG5032CFN
(CMOS)
条件
VC-TCXO TCXO
输出频率范围 f0 10 MHz ~ 40 MHz  
10, 12.8, 19.2, 20, 24.576,
25, 25.6, 26, 30.72, 38.4, 38.88, 40 MHz
标准频率
电源电压 VCC C: 3.3 V ± 5 % (标准)
(电源电压范围 : 2.375 V ~ 3.63 V)
 
储存温度范围 T_stg -40°C ~ +90°C 裸存
工作温度范围 T_use G: -40 °C ~ +85°C  
a) 频率初期公差 f_tol ± 1.0 × 10-6Max. 在回流焊后, +25 °C
b) 频率温度特征 fo-TC A: ± 0.1 × 10-6 Max. / G: -40 °C ~ +85°C
H: ± 0.25 × 10-6 Max. / G: -40 °C ~ +85°C
B: ± 0.28 × 10-6 Max. / G: -40 °C ~ +85°C
频率 (fmax + fmin) / 2 基准
c) 频率负载变动特征 fo-Load ± 0.1 × 10-6 Max. Load ± 10 %
d) 频率电源电压特征 fo-VCC ± 0.1 × 10-6 Max. Vcc ± 5 %
e) 频率老化 f_age ± 0.5 × 10-6 Max +25°C , 第一年
± 3.0 × 10-6 Max. +25°C , 20年
Holdover stability
(温度固定)
- ± 0.01 × 10-6 Max. (+25 °C , 24时间) 工作开始10日后基准
± 0.04 × 10-6 Max. (+25 °C , 24时间) 工作开始48时间后基准
Wander generation
( MTIE, TDEV )
- - 符合 GR-1244CORE , ITU-T G.8262
Free-run accuracy - ± 4.6 × 10-6 Max. 这包括项目a), b) ,c), d), e)
功耗 ICC 5.0 mA Max. 10 MHz ≦ f0 ≦ 26MHz
6.0 mA Max. 26 MHz < f0 ≦ 40 MHz
输入电阻 Rin 100 kΩ Min. - VC- GND (DC)
频率控制范围 f_cont ± 5 × 10-6 ~ ± 10 ×10-6 - D : VC= 1.5 V ± 1.0 V
 at VCC = 3.3V
E : VC= 1.65 V ± 1.0 V
 at VCC = 3.3V
频率变化极 - 正极 -  
占空比 SYM 45 % ~ 55 % GND极 (DC 切割)
输出电压 VOH 90 % VCC Min.  
VOL 10 % VCC Max.  
上升/下降 时间 tr/tf 8.0 ns Max. 10 % VCC ~ 90 % VCC
输出负载 : 15 pF
振荡启动时间 t_str 5.0 ms Max. 在90 % VCC 时,所需时间为0 秒
输出负载 Load 15 pF  

说明:请联系我们以便获取上述内容未涉及的其它规格产品的相关信息

产品名称(标准显示)

品名例

外部尺寸规格

dimension

(単位: mm)

推荐焊盘尺寸

footprint

(単位: mm)

为了维持稳定运行,在接近晶体产品的电源输入端处(在VCC-GND 之间)添加一个0.1uF的去耦电容

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