VG-4231CE (压控晶体振荡器(VCXO) 超小超薄型,宽拖动范围)

  • 频率范围
    :3MHz ~ 50MHz
    50MHz is not included in Output frequency range.
  • 电源电压
    :3.3V Typ. (PSCM / CSCM)
    :2.8V Typ. (PSBM / CSBM)
    :1.8V Typ. (PQEM / CQEM)
  • 频率控制范围
    :±140 × 10-6 (*SCM / *SBM)
    :±120 × 10-6 (*QEM)
  • 低功耗
    :1.0mA Typ.(27MHz,3.3V)
  • 外部尺寸规格
    :3.2 × 2.5 × 1.05mm

Complies with EU RoHS directive
Pb free

VG-4231CE
VG-4231CE


规格 (特征)

项目 符号 规格说明 条件
PSCM / CSCM PSBM / CSBM PQEM / CQEM
输出频率范围 f0 3MHz ~ 50MHz
50MHz is not included in Output frequency range.
24MHz ~ 30MHz 请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息。
电源电压 VCC C : 3.3V ± 0.3V B : 2.8V ± 0.2V E : 1.8V ± 0.2V
储存温度 T_stg -40°C ~ +125°C 作为单一产品存储
工作温度 T_use 如下表所示
频率稳定度 f_tol 如下表所示 C : VC=1.65V
B : VC=1.40V
E : VC=0.90V
功耗 ICC 7mA Max. 6.8mA Max. 1.2mA Max. 无负载条件
频率控制范围 f_cont S : ± 140 × 10-6 Q:± 120 × 10-6 VC = 50% VCC ±50% VCC
调制特性 BW 15kHz Min. ±3dB(1kHz 处)
输入电阻 Rin M : 5MΩ Min. DC 级别
频率变化极 正极 VC = 0V 到 VCC
占空比 SYM 40% to 60% CMOS负载:50% VCC级别
输出电压 VOH VCC - 0.4V Min. IOH = -3.0mA
VOL 0.4V Max. IOL = 3.0mA
输出负载条件 (CMOS) L_CMOS 15pF Max. CMOS负载
上升/下降时间 tr / tf 4ns Max. 6ns Max. CMOS负载:
20% VCC ~ 80% VCC 级别
振荡启动时间 t_str 5ms Max. 在90% VCC 时 , 所需时间为0秒
频率老化 f_aging ± 5 × 10-6 Max. +25°C,5年

* 在VCC加电期间,请保持VC引脚打开或接地。

外部尺寸规格

外部尺寸规格

(单位: mm)

推荐焊盘尺寸

推荐焊盘尺寸

(单位: mm)

为了维持稳定运行,在接近晶体产品的电源输入端处
(在VCC-GND之间)添加一个0.01~0.1μF的去耦电容。


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