SG-531P (水晶発振器 SPXO)

SG-531シリーズ

SG-51シリーズ

周波数範囲
：1.025MHz ～ 135MHz
電源電圧
：3.3V / 5.0V
機能
：Output enable(OE) or Standby(ST)
フルキャンサイズとピンコンパチブル（SG-51）
ハーフキャンサイズとピンコンパチブル（SG-531）

仕様（特性）

項目		記号	仕様		条件
項目		記号	SG-531P SG-51P	SG-531PTJ SG-51PTJ	条件
出力周波数範囲		f₀	1.025MHz ～ 26MHz	26.001MHz ～ 66.667MHz
電源電圧		V_CC	5.0V ±0.5V
温度範囲	保存温度	T_stg	-55°C ～ +125°C		単品での保存
温度範囲	動作温度	T_use	-20°C ～ +70°C
周波数許容偏差		f_tol	B: ±50 × 10^-6, C: ±100 × 10^-6		-20°C ～ +70°C ※1
消費電流		I_CC	23mA Max.	35mA Max.	無負荷
ディセーブル時電流		I_dis	12mA Max.	28mA Max.	OE=GND
波形シンメトリ		SYM	40% ～ 60%	-	CMOS負荷: 50% V_CC レベル
波形シンメトリ		SYM	40% ～ 60%	45% ～ 55%	TTL負荷: 1.4V レベル
Hレベル出力電圧		V_OH	V_CC-0.4V Min.	2.4V Min.	I_OH=-400μA
Lレベル出力電圧		V_OL	0.4V Max.		I_OL=16mA(P)/ 8mA(PTJ)
出力負荷条件（TTL）		L_TTL	10TTL Max.	5TTL Max.	L_CMOS ≤ 15pF
出力負荷条件（CMOS）		L_CMOS	50pF Max.	-
HIGHレベル入力電圧		V_IH	2.0V Min.	3.5V Min.	I_IH=1μA Max. (OE=V_CC)
LOWレベル入力電圧		V_IL	0.8V Max.	1.5V Max.	I_IL=-10 μA Min. (OE=GND), PTJ:I_IL=-500μA Min. (OE=GND)
出力上昇下降時間		tr / tf	8ns Max.	-	CMOS負荷: 20% V_CC ～ 80% V_CC レベル
出力上昇下降時間		tr / tf	8ns Max.	5ns Max.	TTL負荷: 0.4V ～ 2.4V レベル
発振開始時間		t_str	4ms Max.	10ms Max.	最小電源電圧のtを0とする
周波数経時変化		f_aging	±5 × 10^-6 / year Max.		+25°C, V_CC=5.0V, 初年度

※1 B偏差の対応周波数は55MHzまでです。

仕様（特性）

項目		記号	仕様		条件
項目		記号	SG-531PCG	SG-531SCG	条件
出力周波数範囲		f₀	1.500MHz ～ 26.000MHz
電源電圧		V_CC	2.7V ～ 3.6V
温度範囲	保存温度	T_stg	-55°C ～ +125°C		単品での保存
温度範囲	動作温度	T_use	-40°C ～ +85°C
周波数許容偏差		f_tol	B: ±50 × 10^-6 C: ±100 × 10^-6		-20°C ～ +70°C
周波数許容偏差		f_tol	M: ±100 × 10^-6		-40°C ～ +85°C
消費電流		I_CC	12mA Max.		無負荷
ディセーブル時電流		I_dis	10mA Max.	-	OE=GND(PCG,PCN)
スタンバイ時電流		I_std	-	50μA Max.	ST(SCG)
波形シンメトリ		SYM	45% ～ 55%		50% V_CCレベル, L_CMOS=Max.
Hレベル出力電圧		V_OH	V_CC-0.4V Min.		I_OH=-8mA
Lレベル出力電圧		V_OL	0.4V Max.		I_OL=8mA
出力負荷条件(CMOS)		L_CMOS	25pF Max.
Hレベル入力電圧		V_IH	70% V_CC Min.		OE 端子 or ST
Lレベル入力電圧		V_IL	20% V_CC Max.		OE 端子 or ST
立ち上がり/ 立ち下がり時間		tr / tf	4ns Max.		20% V_CC ～ 80% V_CC レベル,L_CMOS ≤ Max.
発振開始時間		t_str	12ms Max.		t=0 at 90% V_CC
周波数経時変化		f_aging	±5 × 10^-6 / year Max.		+25°C,V_CC=3.3V, 初年度

仕様（特性）

項目		記号	仕様			条件
項目		記号	SG-531 PTW SG-531 STW	SG-531 PHW SG-531 SHW	SG-531 PCW SG-531 SCW	条件
出力周波数範囲		f₀	55.001MHz ～ 135.000MHz		26.001MHz ～ 135.000MHz
電源電圧		V_CC	5.0V ±0.5V		3.3V ±0.3V
温度範囲	保存温度	T_stg	-55°C ～ +125°C			単品での保存
温度範囲	動作温度	T_use	-20°C ～ +70°C		-40°C ～ +85°C
周波数許容偏差		f_tol	B: ±50 × 10^-6 , C: ±100 × 10^-6			-20°C ～ +70°C ※1
周波数許容偏差		f_tol	-		M: ±100 × 10^-6	-40°C ～ +85°C
消費電流		I_CC	45mA Max.		28mA Max.	無負荷(f₀=Max.)
ディセーブル時電流		I_dis	30mA Max.		16mA Max.	OE=GND (PTW,PHW,PCW)
スタンバイ時電流		I_std	50μA Max.			ST(STW,SHW,SCW)
波形シンメトリ		SYM	-	40% ～ 60%		50% V_CC レベル,L_CMOS=Max.
波形シンメトリ		SYM	40% ～ 60%	-		1.4V レベル , L_CMOS=Max.
Hレベル出力電圧		V_OH	V_CC-0.4V Min.			I_OH=-16mA (PTW,STW,PHW,SHW), -8mA (PCW,SCW)
Lレベル出力電圧		V_OL	0.4V Max.			I_OL=16mA (PTW,STW, PHW,SHW), 8mA (PCW,SCW)
出力負荷条件（TTL）		L_TTL	5TTL Max.	-		f₀ ≤ 90MHz, 最大電源電圧
出力負荷条件（CMOS）		L_CMOS	15pF Max.			最大出力周波数, 最大電源電圧
Hレベル入力電圧		V_IH	2.0V Min.		70% V_CC Min.	OE端子 or ST
Lレベル入力電圧		V_IL	0.8V Max.		20% V_CC Max.	OE端子 or ST
立ち上がり/ 立ち下がり時間		tr / tf	-	4ns Max.		20% V_CC ～ 80% V_CC レベル, L_CMOS ≤ Max.
立ち上がり/ 立ち下がり時間		tr / tf	4ns Max.	-		0.4V ～ 2.4V レベル
発振開始時間		t_str	10ms Max.			最小電源電圧のtを0とする
周波数経時変化		f_aging	±5 × 10^-6 / year Max.			+25°C, V_CC=5.0V / 3.3V, 初年度

※1 C偏差: f₀ ≥ 66.667MHz(PTW,STW, PHW,SHW)

品名例（標準表記）

外形寸法図

(単位: mm)

■端子説明
OE端子（P,PTJ,PTW,PHW,PCW,PCN,PCG）
OE端子="H"or"Open"：OUT端子に所定の周波数を出力
OE端子="L"：出力停止、OUT端子は、ハイインピーダンス

ST（STW,SHW,SCW,SCG）
ST="H"or"Open"：OUT端子に所定の周波数を出力
ST="L"：発振停止、OUT端子は、ウィークプルダウン

安定動作のため、電源端子（V_CC－GND間）のなるべく近い場所に0.01 μF～0.1 μFのパスコンを付けてください。