SG-531P (水晶発振器 SPXO)
SG-531シリーズ
SG-51シリーズ
- 周波数範囲:1.025MHz ~ 135MHz
- 電源電圧:3.3V / 5.0V
- 機能:Output enable(OE) or Standby(ST)
- フルキャンサイズとピンコンパチブル(SG-51)
- ハーフキャンサイズとピンコンパチブル(SG-531)
仕様(特性)
項目 | 記号 | 仕様 | 条件 | ||
---|---|---|---|---|---|
SG-531P SG-51P |
SG-531PTJ SG-51PTJ |
||||
出力周波数範囲 | f0 | 1.025MHz ~ 26MHz | 26.001MHz ~ 66.667MHz | ||
電源電圧 | VCC | 5.0V ±0.5V | |||
温度範囲 | 保存温度 | T_stg | -55°C ~ +125°C | 単品での保存 | |
動作温度 | T_use | -20°C ~ +70°C | |||
周波数許容偏差 | f_tol | B: ±50 × 10-6, C: ±100 × 10-6 | -20°C ~ +70°C ※1 | ||
消費電流 | ICC | 23mA Max. | 35mA Max. | 無負荷 | |
ディセーブル時電流 | I_dis | 12mA Max. | 28mA Max. | OE=GND | |
波形シンメトリ | SYM | 40% ~ 60% | - | CMOS負荷: 50% VCC レベル | |
40% ~ 60% | 45% ~ 55% | TTL負荷: 1.4V レベル | |||
Hレベル出力電圧 | VOH | VCC-0.4V Min. | 2.4V Min. | IOH=-400μA | |
Lレベル出力電圧 | VOL | 0.4V Max. | IOL=16mA(P)/ 8mA(PTJ) | ||
出力負荷条件 (TTL) |
L_TTL | 10TTL Max. | 5TTL Max. | L_CMOS ≤ 15pF | |
出力負荷条件 (CMOS) |
L_CMOS | 50pF Max. | - | ||
HIGHレベル入力電圧 | VIH | 2.0V Min. | 3.5V Min. | IIH=1μA Max. (OE=VCC) | |
LOWレベル入力電圧 | VIL | 0.8V Max. | 1.5V Max. | IIL=-10 μA Min.
(OE=GND),
PTJ:IIL=-500μA Min. (OE=GND) |
|
出力上昇下降時間 | tr / tf | 8ns Max. | - | CMOS負荷: 20% VCC ~ 80% VCC レベル |
|
8ns Max. | 5ns Max. | TTL負荷: 0.4V ~ 2.4V レベル | |||
発振開始時間 | t_str | 4ms Max. | 10ms Max. | 最小電源電圧のtを0とする | |
周波数経時変化 | f_aging | ±5 × 10-6 / year Max. | +25°C,
VCC=5.0V,
初年度 |
※1 B偏差の対応周波数は55MHzまでです。
仕様(特性)
項目 | 記号 | 仕様 | 条件 | ||
---|---|---|---|---|---|
SG-531PCG | SG-531SCG | ||||
出力周波数範囲 | f0 | 1.500MHz ~ 26.000MHz | |||
電源電圧 | VCC | 2.7V ~ 3.6V | |||
温度範囲 | 保存温度 | T_stg | -55°C ~ +125°C | 単品での保存 | |
動作温度 | T_use | -40°C ~ +85°C | |||
周波数許容偏差 | f_tol | B: ±50 × 10-6 C: ±100 × 10-6 | -20°C ~ +70°C | ||
M: ±100 × 10-6 | -40°C ~ +85°C | ||||
消費電流 | ICC | 12mA Max. | 無負荷 | ||
ディセーブル時電流 | I_dis | 10mA Max. | - | OE=GND(PCG,PCN) | |
スタンバイ時電流 | I_std | - | 50μA Max. | ST(SCG) | |
波形シンメトリ | SYM | 45% ~ 55% | 50% VCCレベル, L_CMOS=Max. |
||
Hレベル出力電圧 | VOH | VCC-0.4V Min. | IOH=-8mA | ||
Lレベル出力電圧 | VOL | 0.4V Max. | IOL=8mA | ||
出力負荷条件(CMOS) | L_CMOS | 25pF Max. | |||
Hレベル入力電圧 | VIH | 70% VCC Min. | OE 端子 or ST | ||
Lレベル入力電圧 | VIL | 20% VCC Max. | |||
立ち上がり/ 立ち下がり時間 |
tr / tf | 4ns Max. | 20% VCC ~ 80% VCC レベル,L_CMOS ≤ Max. | ||
発振開始時間 | t_str | 12ms Max. | t=0 at 90% VCC | ||
周波数経時変化 | f_aging | ±5 × 10-6 / year Max. | +25°C,VCC=3.3V, 初年度 |
仕様(特性)
項目 | 記号 | 仕様 | 条件 | |||
---|---|---|---|---|---|---|
SG-531 PTW SG-531 STW |
SG-531 PHW SG-531 SHW |
SG-531 PCW SG-531 SCW |
||||
出力周波数範囲 | f0 | 55.001MHz ~ 135.000MHz | 26.001MHz ~ 135.000MHz | |||
電源電圧 | VCC | 5.0V ±0.5V | 3.3V ±0.3V | |||
温度範囲 | 保存温度 | T_stg | -55°C ~ +125°C | 単品での保存 | ||
動作温度 | T_use | -20°C ~ +70°C | -40°C ~ +85°C | |||
周波数許容偏差 | f_tol | B: ±50 × 10-6 , C: ±100 × 10-6 | -20°C ~ +70°C ※1 | |||
- | M: ±100 × 10-6 | -40°C ~ +85°C | ||||
消費電流 | ICC | 45mA Max. | 28mA Max. | 無負荷(f0=Max.) | ||
ディセーブル時電流 | I_dis | 30mA Max. | 16mA Max. | OE=GND (PTW,PHW,PCW) | ||
スタンバイ時電流 | I_std | 50μA Max. | ST(STW,SHW,SCW) | |||
波形シンメトリ | SYM | - | 40% ~ 60% | 50% VCC レベル,L_CMOS=Max. | ||
40% ~ 60% | - | 1.4V レベル , L_CMOS=Max. | ||||
Hレベル出力電圧 | VOH | VCC-0.4V Min. | IOH=-16mA (PTW,STW,PHW,SHW), -8mA (PCW,SCW) |
|||
Lレベル出力電圧 | VOL | 0.4V Max. | IOL=16mA (PTW,STW, PHW,SHW), 8mA (PCW,SCW) |
|||
出力負荷条件 (TTL) |
L_TTL | 5TTL Max. | - | f0 ≤ 90MHz, 最大電源電圧 |
||
出力負荷条件 (CMOS) |
L_CMOS | 15pF Max. | 最大出力周波数, 最大電源電圧 |
|||
Hレベル入力電圧 | VIH | 2.0V Min. | 70% VCC Min. | OE端子 or ST | ||
Lレベル入力電圧 | VIL | 0.8V Max. | 20% VCC Max. | |||
立ち上がり/ 立ち下がり時間 |
tr / tf | - | 4ns Max. | 20% VCC ~
80% VCC レベル, L_CMOS ≤ Max. |
||
4ns Max. | - | 0.4V ~ 2.4V レベル | ||||
発振開始時間 | t_str | 10ms Max. | 最小電源電圧のtを0とする | |||
周波数経時変化 | f_aging | ±5 × 10-6 / year Max. | +25°C,
VCC=5.0V / 3.3V, 初年度 |
※1 C偏差: f0 ≥ 66.667MHz(PTW,STW, PHW,SHW)
品名例 (標準表記)

外形寸法図

(単位: mm)
■端子説明
OE端子(P,PTJ,PTW,PHW,PCW,PCN,PCG)
OE端子="H"or"Open":OUT端子に所定の周波数を出力
OE端子="L":出力停止、OUT端子は、ハイインピーダンス
ST(STW,SHW,SCW,SCG)
ST="H"or"Open":OUT端子に所定の周波数を出力
ST="L":発振停止、OUT端子は、ウィークプルダウン
安定動作のため、電源端子(VCC-GND間)のなるべく近い場所に0.01 μF~0.1 μFのパスコンを付けてください。