SG-615P (水晶発振器 SPXO)
SG-615シリーズ
- 周波数範囲：1.025MHz ～ 135MHz
- 電源電圧：3.3V / 5.0V
- 機能：Output enable(OE) or Standby(ST)
仕様（特性）
| 項目 | 記号 | 仕様 | 条件 | ||
|---|---|---|---|---|---|
| SG-615P | SG-615PTJ | ||||
| 出力周波数範囲 | f0 | 1.025MHz ～ 26MHz | 26.001MHz ～ 66.667MHz | ||
| 電源電圧 | VCC | 5.0V ±0.5V | |||
| 温度範囲 | 保存温度 | T_stg | -55°C ～ +125°C | 単品での保存 | |
| 動作温度 | T_use | -20°C ～ +70°C | |||
| 周波数許容偏差 | f_tol | B: ±50 × 10-6, C: ±100 × 10-6 | -20°C ～ +70°C ※1 | ||
| 消費電流 | ICC | 23mA Max. | 35mA Max. | 無負荷 | |
| ディセーブル時電流 | I_dis | 12mA Max. | 28mA Max. | OE=GND | |
| 波形シンメトリ | SYM | 40% ～ 60% | - | CMOS負荷: 50% VCC レベル | |
| 40% ～ 60% | 45% ～ 55% | TTL負荷: 1.4V レベル | |||
| Hレベル出力電圧 | VOH | VCC-0.4V Min. | 2.4V Min. | IOH=-400 μA | |
| Lレベル出力電圧 | VOL | 0.4V Max. | IOL=16mA(P)/ 8mA(PTJ) | ||
| 出力負荷条件 （TTL） |
L_TTL | 10TTL Max. | 5TTL Max. | L_CMOS ≤ 15pF | |
| 出力負荷条件 （CMOS） |
L_CMOS | 50pF Max. | - | ||
| HIGHレベル入力電圧 | VIH | 2.0V Min. | 3.5V Min. | IIH=1μA Max. (OE=VCC) | |
| LOWレベル入力電圧 | VIL | 0.8V Max. | 1.5V Max. | IIL=-100μA Min.
(OE=GND), PTJ:IIL= -500μA Min. (OE=GND) |
|
| 出力上昇下降時間 | tr / tf | 8ns Max. | - | CMOS負荷: 20% VCC ～ 80% VCC レベル |
|
| 8ns Max. | 5ns Max. | TTL負荷: 0.4V ～ 2.4V レベル |
|||
| 発振開始時間 | t_str | 4ms Max. | 10ms Max. | 最小電源電圧のtを0とする | |
| 周波数経時変化 | f_aging | ±5 × 10-6 / year Max. | +25°C, VCC=5.0V, 初年度 | ||
※1 B偏差の対応周波数は55MHzまでです。
仕様（特性）
| 項目 | 記号 | 仕様 | 条件 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| SG-615PCG | SG-615SCG | SG-615PCN | ||||
| 出力周波数範囲 | f0 | 1.500MHz ～ 26.000MHz | 26.001MHz ～ 66.667MHz | |||
| 電源電圧 | VCC | 2.7V ～ 3.6V | 3.0V ～ 3.6V | |||
| 温度範囲 | 保存温度 | T_stg | -55°C ～ +125°C | 単品での保存 | ||
| 動作温度 | T_use | -40°C ～ +85°C | ||||
| 周波数許容偏差 | f_tol | B: ±50 × 10-6 C: ±100 × 10-6 | -20°C ～ +70°C | |||
| M: ±100 × 10-6 | -40°C ～ +85°C | |||||
| 消費電流 | ICC | 12mA Max. | 20mA Max. | 無負荷 | ||
| ディセーブル時電流 | I_dis | 10mA Max. | - | 10mA Max. | OE=GND (PCG,PCN) | |
| スタンバイ時電流 | I_std | - | 50μA Max. | - | ST(SCG) | |
| 波形シンメトリ | SYM | 45% ～ 55% | 50% VCC レベル, L_CMOS=Max. |
|||
| Hレベル出力電圧 | VOH | VCC-0.4V Min. | VCC-0.4V Min. | IOH=-8mA | ||
| Lレベル出力電圧 | VOL | 0.4V Max. | 0.4V Max. | IOL=8mA | ||
| 出力負荷条件 (CMOS) |
L_CMOS | 25pF Max. | 15pF Max. | |||
| Hレベル入力電圧 | VIH | 70% VCC Min. | 70% VCC Min. | OE端子 or ST | ||
| Lレベル入力電圧 | VIL | 20% VCC Max. | 30% VCC Max. | |||
| 立ち上がり/ 立ち下がり時間 |
tr / tf | 4ns Max. | 20% VCC ～
80% VCC レベル, L_CMOS ≤ Max. |
|||
| 発振開始時間 | t_str | 12ms Max. | 10ms Max. | t=0 at 90% VCC | ||
| 周波数経時変化 | f_aging | ±5 × 10-6 / year Max. | +25°C,
VCC=3.3V, 初年度 |
|||
仕様（特性）
| 項目 | 記号 | 仕様 | 条件 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| SG-615 PTW SG-615 STW |
SG-615 PHW SG-615 SHW |
SG-615 PCW SG-615 SCW |
||||
| 出力周波数範囲 | f0 | 55.001MHz ～ 135.000MHz | 26.001MHz ～ 135.000MHz | |||
| 電源電圧 | VCC | 5.0V ±0.5V | 3.3V ±0.3V | |||
| 温度範囲 | 保存温度 | T_stg | -55°C ～ +125°C | 単品での保存 | ||
| 動作温度 | T_use | -20°C ～ +70°C | -40°C ～ +85°C | |||
| 周波数許容偏差 | f_tol | B: ±50 × 10-6 , C: ±100 × 10-6 | -20°C ～ +70°C ※1 | |||
| - | M: ±100 × 10-6 | -40°C ～ +85°C | ||||
| 消費電流 | ICC | 45mA Max. | 28mA Max. | 無負荷(f0=Max.) | ||
| ディセーブル時電流 | I_dis | 30mA Max. | 16mA Max. | OE=GND (PTW,PHW,PCW) | ||
| スタンバイ時電流 | I_std | 50μA Max. | ST (STW,SHW,SCW) | |||
| 波形シンメトリ | SYM | - | 40% ～ 60% | 50% VCC レベル, L_CMOS=Max. |
||
| 40% ～ 60% | - | 1.4V レベル , L_CMOS=Max. |
||||
| Hレベル出力電圧 | VOH | VCC-0.4V Min. | IOH=-16mA (PTW,STW, PHW,SHW), -8mA(PCW,SCW) |
|||
| Lレベル出力電圧 | VOL | 0.4V Max. | IOL=16mA (PTW,STW, PHW,SHW), 8mA(PCW,SCW) |
|||
| 出力負荷条件 （TTL） |
L_TTL | 5TTL Max. | - | f0 ≤ 90MHz, 最大電源電圧 |
||
| 出力負荷条件 （CMOS） |
L_CMOS | 15pF Max. | 最大出力周波数, 最大電源電圧 |
|||
| Hレベル入力電圧 | VIH | 2.0V Min. | 70% VCC Min. | OE端子 or ST | ||
| Lレベル入力電圧 | VIL | 0.8V Max. | 20% VCC Max. | |||
| 立ち上がり/ 立ち下がり時間 |
tr / tf | - | 4ns Max. | 20% VCC ～
80% VCC レベル, L_CMOS ≤ Max. |
||
| 4ns Max. | - | 0.4V ～ 2.4V レベル | ||||
| 発振開始時間 | t_str | 10ms Max. | 最小電源電圧のtを0とする | |||
| 周波数経時変化 | f_aging | ±5 × 10-6 / year Max. | +25°C,
VCC=5.0V / 3.3V, 初年度 |
|||
※1 C偏差:f0 ≥ 66.667MHz(PTW,STW,PHW,SHW)
外形寸法図
(単位: mm)
フットプリント（推奨）
(単位: mm)
