SG-636PDE (水晶発振器 SPXO)

SG-636シリーズSG-636シリーズ

RoHS Compliant

  • 周波数範囲
    :2.21675 MHz ~ 40 MHz
  • 電源電圧
    :2.5V Typ.
  • 機能
    :Output enable(OE)
  • 外形寸法
    :10.5 × 5.8 × 2.7mm (t: Max.)

仕様(特性)

項目 記号 仕様 条件
SG-636 PTF SG-636 PCE
SG-636 SCE
SG-636 PDE
出力周波数範囲 f0 2.21675MHz ~ 41.000MHz 2.21675MHz ~ 40.000MHz 2.21675MHz ~ 40.000MHz
電源電圧 VCC 5.0V ±0.5V 3.3V ±0.3V 2.5V ±0.25V
温度範囲 保存温度 T_stg -55°C ~ +100°C 単品での保存
動作温度 T_use -20°C ~ +70°C
周波数許容偏差 f_tol C: ±100 × 10-6 -20°C ~ +70°C
消費電流 ICC 17mA Max. 9mA Max. 5mA Max. 無負荷
ディセーブル時電流 I_dis 10mA Max. 5mA Max. 3mA Max. OE=GND
スタンバイ時電流 I_std - 2μA Max. - ST(SCE)
波形シンメトリ SYM 40% ~ 60% 45% ~ 55% CMOS負荷:
50% VCC レベル
45% ~ 55% - TTL負荷:
1.4V レベル
Hレベル出力電圧 VOH VCC-0.4V Min. IOH=-8mA(PTF) /
-4mA(SCE,PCE) /
-3.2mA(PDE)
Lレベル出力電圧 VOL 0.4V Max. IOL=16mA(PTF) /
4mA(SCE,PCE) /
3.2mA(PDE)
出力負荷条件
(TTL)
L_TTL 10TTL Max. - L_CMOS ≤ 15pF
出力負荷条件
(CMOS)
L_CMOS 50pF Max. 30pF Max. 15pF Max.
Hレベル入力電圧 VIH 2.0V Min. 80% VCC Min. OE端子 or
ST (SCE)
Lレベル入力電圧 VIL 0.8V Max. 20% VCC Max.
立ち上がり/
立ち下がり時間
tr / tf 7ns Max. 5ns Max. CMOS負荷:
20% VCC
80% VCC レベル
5ns Max. - TTL負荷:
0.4V ~ 2.4V レベル
発振開始時間 t_str 4ms Max. 4ms Max. 最小電源電圧のtを0とする
周波数経時変化 f_aging ±5 × 10-6 / year Max. +25°C,
VCC=5.0V/ 3.3V/2.5V,
初年度
品名例/製品型番

外形寸法図

外形寸法図

(単位: mm)

端子説明
OE端子(PDE)
OE端子="H"or"Open":OUT端子に所定の周波数を出力
OE端子="L":出力停止、OUT端子は、ハイインピーダンス

※モールド部より内蔵の金属ケースの一部が見える場合がありますが、特性に影響はありません。


フットプリント(推奨)

フットプリント (推奨)

(単位: mm)

安定動作のため、電源端子(VCC-GND間)のなるべく近い場所に0.01 μF~0.1 μFのパスコンを付けてください。

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