SG-636PDE (水晶発振器 SPXO)
SG-636シリーズ
- 周波数範囲：2.21675 MHz ～ 40 MHz
- 電源電圧：2.5V Typ.
- 機能：Output enable(OE)
- 外形寸法：10.5 × 5.8 × 2.7mm (t: Max.)
仕様（特性）
| 項目 | 記号 | 仕様 | 条件 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| SG-636 PTF | SG-636 PCE SG-636 SCE |
SG-636 PDE | ||||
| 出力周波数範囲 | f0 | 2.21675MHz ～ 41.000MHz | 2.21675MHz ～ 40.000MHz | 2.21675MHz ～ 40.000MHz | ||
| 電源電圧 | VCC | 5.0V ±0.5V | 3.3V ±0.3V | 2.5V ±0.25V | ||
| 温度範囲 | 保存温度 | T_stg | -55°C ～ +100°C | 単品での保存 | ||
| 動作温度 | T_use | -20°C ～ +70°C | ||||
| 周波数許容偏差 | f_tol | C: ±100 × 10-6 | -20°C ～ +70°C | |||
| 消費電流 | ICC | 17mA Max. | 9mA Max. | 5mA Max. | 無負荷 | |
| ディセーブル時電流 | I_dis | 10mA Max. | 5mA Max. | 3mA Max. | OE=GND | |
| スタンバイ時電流 | I_std | - | 2μA Max. | - | ST(SCE) | |
| 波形シンメトリ | SYM | 40% ～ 60% | 45% ～ 55% | CMOS負荷: 50% VCC レベル |
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| 45% ～ 55% | - | TTL負荷: 1.4V レベル |
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| Hレベル出力電圧 | VOH | VCC-0.4V Min. | IOH=-8mA(PTF) / -4mA(SCE,PCE) / -3.2mA(PDE) |
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| Lレベル出力電圧 | VOL | 0.4V Max. | IOL=16mA(PTF) / 4mA(SCE,PCE) / 3.2mA(PDE) |
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| 出力負荷条件 （TTL） |
L_TTL | 10TTL Max. | - | L_CMOS ≤ 15pF | ||
| 出力負荷条件 （CMOS） |
L_CMOS | 50pF Max. | 30pF Max. | 15pF Max. | ||
| Hレベル入力電圧 | VIH | 2.0V Min. | 80% VCC Min. | OE端子 or ST (SCE) |
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| Lレベル入力電圧 | VIL | 0.8V Max. | 20% VCC Max. | |||
| 立ち上がり/ 立ち下がり時間 |
tr / tf | 7ns Max. | 5ns Max. | CMOS負荷: 20% VCC ～ 80% VCC レベル |
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| 5ns Max. | - | TTL負荷: 0.4V ～ 2.4V レベル |
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| 発振開始時間 | t_str | 4ms Max. | 4ms Max. | 最小電源電圧のtを0とする | ||
| 周波数経時変化 | f_aging | ±5 × 10-6 / year Max. | +25°C, VCC=5.0V/ 3.3V/2.5V, 初年度 |
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外形寸法図
(単位: mm)
端子説明
OE端子（PDE）
OE端子="H"or"Open"：OUT端子に所定の周波数を出力
OE端子="L"：出力停止、OUT端子は、ハイインピーダンス
※モールド部より内蔵の金属ケースの一部が見える場合がありますが、特性に影響はありません。
フットプリント（推奨）
(単位: mm)
安定動作のため、電源端子（VCC－GND間）のなるべく近い場所に0.01 μF～0.1 μFのパスコンを付けてください。
