MG7050VAN 基于声表的差分多输出 晶体振荡器(LVDS)
- 超低抖动
:0.3ps Max.
2个或者4个输出并可以减少扇出缓冲器 - 频率范围
:100MHz ~ 700MHz - 电源电压
:2.5V Typ. / 3.3V Typ. - 外部尺寸规格
:7.0 × 5.0 × 1.6 mm - 输出
:LVDS (2 或 4 输出) - 应用
Server, Storage, Network Instrument.
Application Manual (789KB)
*目前只有英文版本
Design Support Data Download
规格(特征)
项目 | 符号 | 规格说明 | 条件 | ||
---|---|---|---|---|---|
输出频率范围 | f0 | 100MHz ~ 700MHz | 请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息 | ||
100MHz , 106.25MHz , 125MHz , 150MHz 156.25MHz , 200MHz , 212.5MHz , 250MHz 300MHz , 312.5MHz |
标准频率 | ||||
电源电压 | VCC | D : 2.5V ± 0.125V | C : 3.3V ± 0.33V | VCC1 和 VCC2 需要相同的电压 | |
储存温度 | T_stg | -55°C to +125°C | 作为单一产品存储 | ||
工作温度 | T_use | A : 0°C to +70°C, B : -20°C to +70°C, D : -5°C to +85°C |
|||
频率稳定度 *1 | f_tol | J : ± 50 × 10-6 L : ±100 × 10-6 |
|||
功耗 | ICC | 35mA Typ. 50mA Max. |
45mA Typ. 56mA Max. |
2-输出 | OE = VCC, L_LVDS = 50Ω |
40mA Typ. 66 mA Max. |
50mA Typ. 72 mA Max. |
4-输出 | |||
输出禁用电流 | I_dis | 7mA Typ. 18mA Max. |
OE = GND | ||
占空比 | SYM | 45% to 55% | 在输出交叉点上 | ||
输出电压 | VOH | 247 mV ~ 454 mV | DC 特征 | ||
VOL | 1.125 V ~ 1.375 V | ||||
输出负载条件 |
L_LVDS | 100 Ω | 连接到OUTnP 与 OUTnN之间 | ||
输入电压 | VIH | 70% VCC Min. | OE终端 和 FSEL终端 | ||
VIL | 30% VCC Max. | ||||
上升/下降时间 | tr / tf | 200ps Typ. 400ps Max. |
20 % to 80 % 微分输出 峰-峰值 | ||
振荡启动时间 | t_str | 5ms Typ. 10ms Max. |
在电源电压最低时,所需时间为0秒 | ||
相位抖动 | tPJ | 0.19ps Typ. | 0.16ps Typ. | f0 = 100MHz | 抵消频率: 12kHz 20MHz |
0.18ps Typ. | 0.15ps Typ. | f0 = 125MHz | |||
0.17ps Typ. | 0.14ps Typ. | f0 = 156.25MHz | |||
0.15ps Typ. | 0.13ps Typ. | f0 = 212.5MHz | |||
0.12ps Typ. | 0.11ps Typ. | f0 = 312.5MHz | |||
0.06ps Typ. | 0.05ps Typ. | f0 = 700MHz | |||
0.3ps Max. | |||||
变形 | t_skew | 20ps Typ. 50ps Max. |
FSEL = H | ||
频率老化 | f_aging | N : ± 10 × 10-6 / year Max. | 第一年 | +25°C, VCC = 2.5V , 3.3V |
|
A : 频率稳定度包含 *2 | 10年 |
*1 这包括初始频率公差、温度变化、电源电压变化、回流焊接漂移和。
*2 "A"不被承若的当频率误差是"J"并且工作温度是"B"或"D"的情况下。
电路框图
FSEL 功能
2-输出 | OUT | OUT2 | |
---|---|---|---|
4-输出 | OUT1/OUT2 | OUT3/OUT4 | |
FSEL | H | f0 | f0 |
L | f0 | f0/2 |
外部尺寸规格
(单位 :mm)
推荐焊盘尺寸
(单位:mm)
为了维持稳定运行,在接近晶体产品的电源输入端处(在Vcc, Vcc1, Vcc2 – GND之间)添加一个0.01 µF ~ 0.1 µF的去耦电容。