SG-210SDB(晶体振荡器 SPXO)
SG-210SxB


- 频率范围
:2MHz ~ 60MHz - 电源电压
:1.5V / 1.8V / 2.5V / 3.3V - 电流消耗
:0.9mA Typ. (SEB: 1.8V 无负载条件 48MHz) - 功能
:待机(ST) - 外部尺寸规格
:2.5 × 2.0 × 0.8mm - 工作温度范围
:+105°C / +125°C
规格 (特征)
项目 | 符号 | 规格说明 | 条件 | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|
SG-210 SGB | SG-210 SEB | SG-210 SDB | SG-210 SCB | ||||
输出 频率范围 |
f0 | 2MHz ~ 32MHz | 2MHz ~ 60MHz | ||||
电源电压 | VCC | 1.5V Typ. 1.3V ~ 1.7V |
1.8V Typ. 1.6V ~ 2.2V |
2.5V Typ. 2.2V ~ 3.0V |
3.3V Typ. 2.7V ~ 3.6V |
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储存温度 | T_stg | -40°C ~ +125°C | 裸存 | ||||
工作温度 | T_use | -40°C ~ +85°C / -40°C ~ +105°C / -40°C ~ +125°C | |||||
频率稳定度 | f_tol | F: ±20 × 10-6 | -10°C ~
+60°C, f0 ≤ 32MHz, VCC ±10%, 除回流漂移外 |
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B: ±50 × 10-6, C: ±100 × 10-6 | -20°C ~ +70°C | ||||||
L:±50 × 10-6,M:±100 × 10-6 | -40°C ~ +85°C | ||||||
- | Y:±50 × 10-6,W:±100 × 10-6 | -40°C ~ +105°C | |||||
- | Z:±100 × 10-6,X:±150 × 10-6 | -40°C ~ +125°C | |||||
功耗 | ICC | 1.0mA Max. | 1.6mA Max. | 2.4mA Max. | 3.0mA Max. | 无负载条件, -40°C ~ +85°C |
|
- | 2.0mA Max. | 3.0mA Max. | 4.0mA Max. | 无负载条件, +105°C, +125°C |
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待机电流 | I_std | 0.3μA Max. | 0.5μA Max. | 1.0μA Max. | 1.0μA Max. | ST -40°C ~ +85°C |
|
- | 1.6μA Max. | 2.4μA Max. | 3.0μA Max. | ST +105°C, +125°C |
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占空比 | SYM | 45% ~ 55% | 45% ~ 55% | 45% ~ 55% | 45% ~ 55% | 2MHz ≤ f0 ≤ 16MHz | 50% VCC极 L_CMOS ≤ 15pF |
40% ~ 60% | 16MHz < f0 ≤ 32MHz | ||||||
- | 40% ~ 60% | 40% ~ 60% | 32MHz < f0 ≤ 48MHz | ||||
- | 40% ~ 60% | +105°C, +125°C | |||||
输出电压 | VOH | 90% VCC Min. | IOH=-1mA | ||||
VOL | 10% VCC Max. | IOL=1mA | |||||
输出 负载条件 (CMOS) |
L_CMOS | 15pF Max. | |||||
输入电压 | VIH | 80% VCC Min. | ST | ||||
VIL | 20% VCC Max. | ||||||
上升/ 下降时间 |
tr / tf | 5ns Max. | 4ns Max. | 3ns Max. | +85°C | 20% VCC~
80% VCC极, L_CMOS=15pF |
|
- | 7ns Max. | +105°C, +125°C | |||||
振荡启动 时间 |
t_str | 3ms Max. |
在90% VCC 时, 所需时间为0 秒 (+105°C, +125°C : 5ms Max.) |
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频率老化 | f_aging | ±3 × 10-6 / year Max. | +25°C,
第一年, VCC=1.5V,1.8V, 2.5V,3.3V |
外部尺寸规格
(单位: mm)
ST 引脚="H" 或 "打开":指定的频率输出。
ST 引脚="L":输出为高阻抗,振荡停止。
推荐焊盘尺寸
(单位: mm)
为了维持稳定运行,在接近晶体产品的电源输入端处
(在VCC-GND之间)添加一个0.01~0.1μF的去耦电容。