SG-210SDB(晶体振荡器 SPXO)

SG-210SxB

频率范围
:2MHz ~ 60MHz
电源电压
:1.5V / 1.8V / 2.5V / 3.3V
电流消耗
:0.9mA Typ. (SEB: 1.8V 无负载条件 48MHz)
功能
:待机(ST)
外部尺寸规格
:2.5 × 2.0 × 0.8mm
工作温度范围
:+105°C / +125°C

规格 (特征)

项目	符号	规格说明				条件
项目	符号	SG-210 SGB	SG-210 SEB	SG-210 SDB	SG-210 SCB	条件
输出频率范围	f₀	2MHz ~ 32MHz	2MHz ~ 60MHz
电源电压	V_CC	1.5V Typ. 1.3V ~ 1.7V	1.8V Typ. 1.6V ~ 2.2V	2.5V Typ. 2.2V ~ 3.0V	3.3V Typ. 2.7V ~ 3.6V
储存温度	T_stg	-40°C ~ +125°C				裸存
工作温度	T_use	-40°C ~ +85°C / -40°C ~ +105°C / -40°C ~ +125°C
频率稳定度	f_tol	F: ±20 × 10^-6				-10°C ~ +60°C, f₀ ≤ 32MHz, V_CC ±10%, 除回流漂移外
		B: ±50 × 10^-6, C: ±100 × 10^-6				-20°C ~ +70°C
		L:±50 × 10^-6,M:±100 × 10^-6				-40°C ~ +85°C
		-	Y:±50 × 10^-6,W:±100 × 10^-6			-40°C ~ +105°C
		-	Z:±100 × 10^-6,X:±150 × 10^-6			-40°C ~ +125°C
功耗	I_CC	1.0mA Max.	1.6mA Max.	2.4mA Max.	3.0mA Max.	无负载条件, -40°C ~ +85°C
功耗	I_CC	-	2.0mA Max.	3.0mA Max.	4.0mA Max.	无负载条件, +105°C, +125°C
待机电流	I_std	0.3μA Max.	0.5μA Max.	1.0μA Max.	1.0μA Max.	ST -40°C ~ +85°C
待机电流	I_std	-	1.6μA Max.	2.4μA Max.	3.0μA Max.	ST +105°C, +125°C
占空比	SYM	45% ~ 55%	45% ~ 55%	45% ~ 55%	45% ~ 55%	2MHz ≤ f₀ ≤ 16MHz	50% V_CC极 L_CMOS ≤ 15pF
		40% ~ 60%	45% ~ 55%	45% ~ 55%		16MHz < f₀ ≤ 32MHz
		-	40% ~ 60%	40% ~ 60%		32MHz < f₀ ≤ 48MHz
		-	40% ~ 60%			+105°C, +125°C
输出电压	V_OH	90% V_CC Min.				I_OH=-1mA
输出电压	V_OL	10% V_CC Max.				I_OL=1mA
输出负载条件（CMOS）	L_CMOS	15pF Max.
输入电压	V_IH	80% V_CC Min.				ST
输入电压	V_IL	20% V_CC Max.				ST
上升/ 下降时间	tr / tf	5ns Max.	4ns Max.	3ns Max.		+85°C	20% V_CC~ 80% V_CC极, L_CMOS=15pF
上升/ 下降时间	tr / tf	-	7ns Max.			+105°C, +125°C	20% V_CC~ 80% V_CC极, L_CMOS=15pF
振荡启动时间	t_str	3ms Max.				在90% V_CC 时，所需时间为0 秒 (+105°C, +125°C : 5ms Max.)
频率老化	f_aging	±3 × 10^-6 / year Max.				+25°C, 第一年, V_CC=1.5V,1.8V, 2.5V,3.3V

外部尺寸规格

(单位: mm)

ST 引脚="H" 或 "打开"：指定的频率输出。
ST 引脚="L"：输出为高阻抗，振荡停止。

SG-210SDB(晶体振荡器 SPXO)

规格 (特征)

外部尺寸规格

推荐焊盘尺寸