SG-210SEB(晶体振荡器 SPXO)

SG-210SxBSG-210SxB

RoHS Compliant pb free
  • 频率范围
    :2MHz ~ 60MHz
  • 电源电压
    :1.5V / 1.8V / 2.5V / 3.3V
  • 电流消耗
    :0.9mA Typ. (SEB: 1.8V 无负载条件 48MHz)
  • 功能
    :待机(ST)
  • 外部尺寸规格
    :2.5 × 2.0 × 0.8mm
  • 工作温度范围
    :+105°C / +125°C

规格 (特征)

项目 符号 规格说明 条件
SG-210 SGB SG-210 SEB SG-210 SDB SG-210 SCB
输出
频率范围
f0 2MHz ~ 32MHz 2MHz ~ 60MHz
电源电压 VCC 1.5V Typ.
1.3V ~ 1.7V
1.8V Typ.
1.6V ~ 2.2V
2.5V Typ.
2.2V ~ 3.0V
3.3V Typ.
2.7V ~ 3.6V
储存温度 T_stg -40°C ~ +125°C 裸存
工作温度 T_use -40°C ~ +85°C / -40°C ~ +105°C / -40°C ~ +125°C
频率稳定度 f_tol F: ±20 × 10-6 -10°C ~ +60°C,
f0 ≤ 32MHz,
VCC ±10%, 除回流漂移外
B: ±50 × 10-6, C: ±100 × 10-6 -20°C ~ +70°C
L:±50 × 10-6,M:±100 × 10-6 -40°C ~ +85°C
- Y:±50 × 10-6,W:±100 × 10-6 -40°C ~ +105°C
- Z:±100 × 10-6,X:±150 × 10-6 -40°C ~ +125°C
功耗 ICC 1.0mA Max. 1.6mA Max. 2.4mA Max. 3.0mA Max. 无负载条件,
-40°C ~ +85°C
- 2.0mA Max. 3.0mA Max. 4.0mA Max. 无负载条件,
+105°C, +125°C
待机电流 I_std 0.3μA Max. 0.5μA Max. 1.0μA Max. 1.0μA Max. ST
-40°C ~ +85°C
- 1.6μA Max. 2.4μA Max. 3.0μA Max. ST
+105°C, +125°C
占空比 SYM 45% ~ 55% 45% ~ 55% 45% ~ 55% 45% ~ 55% 2MHz ≤ f0 ≤ 16MHz 50% VCC
L_CMOS ≤ 15pF
40% ~ 60% 16MHz < f0 ≤ 32MHz
- 40% ~ 60% 40% ~ 60% 32MHz < f0 ≤ 48MHz
- 40% ~ 60% +105°C, +125°C
输出电压 VOH 90% VCC Min. IOH=-1mA
VOL 10% VCC Max. IOL=1mA
输出
负载条件
(CMOS)
L_CMOS 15pF Max.
输入电压 VIH 80% VCC Min. ST
VIL 20% VCC Max.
上升/
下降时间
tr / tf 5ns Max. 4ns Max. 3ns Max. +85°C 20% VCC~ 80% VCC极,
L_CMOS=15pF
- 7ns Max. +105°C, +125°C
振荡启动
时间
t_str 3ms Max. 在90% VCC 时,
所需时间为0 秒
(+105°C, +125°C : 5ms Max.)
频率老化 f_aging ±3 × 10-6 / year Max. +25°C, 第一年,
VCC=1.5V,1.8V, 2.5V,3.3V

外部尺寸规格

外部尺寸规格

(单位: mm)

ST 引脚="H" 或 "打开":指定的频率输出。
ST 引脚="L":输出为高阻抗,振荡停止。

推荐焊盘尺寸

推荐焊盘尺寸

(单位: mm)

为了维持稳定运行,在接近晶体产品的电源输入端处
(在VCC-GND之间)添加一个0.01~0.1μF的去耦电容。

Page Top