SG-211SCE(晶体振荡器 薄型/高精度SPXO)

SG-211SxESG-211SxE

RoHS Compliantpb free
  • 频率范围
    :2.375MHz ~ 60MHz
  • 电源电压
    :3.3V Typ.
  • 功能
    :待机 (ST)
  • 外部尺寸规格
    :2.5 × 2.0 × 0.7mm

规格 (特征)

项目 符号 规格说明 条件
SG-211SEE SG-211SDE SG-211SCE
输出频率范围 f0 2.375MHz ~ 60.000MHz
电源电压 VCC 1.8V Typ.
1.6V ~ 2.2V
2.5V Typ.
2.2V ~ 2.7V
3.3V Typ.
2.7V ~ 3.63V
储存温度范围 T_stg -40°C ~ +125°C 作为单一产品存储
工作温度范围 T_use -40°C ~ +90°C
频率稳定度 ※1 f_tol D: ±20 × 10-6
E: ±15 × 10-6
-20°C ~ +70°C VCC ±10%
回流漂移包含
H: ±20 × 10-6
T: ±15 × 10-6
-40°C ~ +85°C
a: ±15 × 10-6
b: ±20 × 10-6
d: ±25 × 10-6
-40°C ~ +90°C
功耗 ICC 2.3mA Max. 2.5mA Max. 3.5mA Max. 无负载条件
2.375MHz ≦ f0 ≦ 32MHz
2.8mA Max. 3.0mA Max. 4.0mA Max. 无负载条件
32MHz < f0 ≦ 40MHz
3.3mA Max. 3.5mA Max. 4.5mA Max. 无负载条件
40MHz < f0 ≦ 48MHz
4.5mA Max. 5.0mA Max. 6.0mA Max. 无负载条件
48MHz < f0 ≦ 60MHz
待机电流 I_std 5.0µA Max. ST
占空比 SYM 45% ~ 55% 50% VCC 级别,
L_CMOS ≦ 15pF
输出电压 VOH 90% VCC Min. IOH= -4mA
VOL 10% VCC Max. IOL= 4mA
输出负载条件
(CMOS)
L_CMOS 15pF Max.
输入电压 VIH 80% VCC Min. ST
VIL 20% VCC Max.
上升 / 下降时间 tr / tf 4.5ns Max. 20% VCC ~ 80% VCC 极,
L_CMOS = 15pF
振荡启动时间 t_str 5ms Max. 在90% VCC 时,所需时间为0秒
频率老化 f_aging 频率稳定度包含 +25°C , 第一年

※1 记载以外、请联系我们

外部尺寸规格

外部尺寸规格

(单位: mm)

ST引脚="H":指定的频率输出。
ST引脚="L":输出为高阻抗,振荡停止。

推荐焊盘尺寸

推荐焊盘尺寸

(单位: mm)

为了维持稳定运行,在接近晶体产品的电源输入端处
(在VCC-GND之间)添加一个0.01~0.1µF的去耦电容。

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