SG-531SCW (晶体振荡器 SPXO)

SG-531系列SG-531系列

SG-51系列SG-51系列

RoHS Compliant
  • 频率范围
    :1.025MHz ~ 135MHz
  • 电源电压
    :3.3V / 5.0V
  • 功能
    :使能(OE) 或 待机(ST)

规格 (特征)

项目 符号 规格说明 条件
SG-531P
SG-51P
SG-531PTJ
SG-51PTJ
输出
频率范围
f0 1.025MHz ~ 26MHz 26.001MHz ~ 66.667MHz
电源电压 VCC 5.0V ±0.5V
储存温度 T_stg -55°C ~ +125°C 裸存
工作温度 T_use -20°C ~ +70°C
频率稳定度 f_tol B: ±50 × 10-6, C: ±100 × 10-6 -20°C ~ +70°C *1
功耗 ICC 23mA Max. 35mA Max. 无负载条件
输出
禁用电流
I_dis 12mA Max. 28mA Max. OE=GND
占空比 SYM 40% ~ 60% - CMOS负载:50% VCC
40% ~ 60% 45% to 55% TTL负载:1.4V 极
输出电压 VOH VCC-0.4V Min. 2.4V Min. IOH=-400μA
VOL 0.4V Max. IOL=16mA(P)
IOL=8mA(PTJ)
输出
负载条件
(TTL)
L_TTL 10TTL Max. 5TTL Max. L_CMOS ≤ 15pF
输出
负载条件
(CMOS)
L_CMOS 50pF Max. -
输入电压 VIH 2.0V Min. 3.5V Min. IIH=1μA Max. (OE=VCC)
VIL 0.8V Max. 1.5V Max. IIL=-100μA Min. (OE=GND),
PTJ:IIL=-500μA Min. (OE=GND)
上升/
下降时间
tr / tf 8ns Max. - CMOS负载:
20% VCC~80% VCC
8ns Max. 5ns Max. TTL负载:
0.4V ~ 2.4V 极
振荡启动
时间
t_str 4ms Max. 10ms Max. 在电源电压最低时,
所需时间为0秒
频率老化 f_aging ±5 × 10-6 / year Max. +25°C,第一年
VCC=5.0V

*1 "B"公差将用于高达55MHz。

规格(特征)

项目 符号 规格说明 条件
SG-531PCG SG-531SCG
输出
频率范围
f0 1.500MHz ~ 26.000MHz
电源电压 VCC 2.7V ~ 3.6V
储存温度 T_stg -55°C ~ +125°C 裸存
工作温度 T_use -40°C ~ +85°C
频率稳定度 f_tol B: ±50 × 10-6 C: ±100 × 10-6 -20°C ~ +70°C
M: ±100 × 10-6 -40°C ~ +85°C
功耗 ICC 12mA Max. 无负载条件
输出
禁用电流
I_dis 10mA Max. - OE=GND(PCG,PCN)
待机电流 I_std - 50μA Max. ST(SCG)
占空比 SYM 45% ~ 55% 50% VCC 极,L_CMOS=Max.
输出电压 VOH VCC-0.4V Min. IOH=-8mA
VOL 0.4V Max. IOL=8mA
输出
负载条件
L_CMOS 25pF Max.
输入电压 VIH 70% VCC Min. OE终端 或 ST
VIL 20% VCC Max.
上升/下降
时间
tr / tf 4ns Max. 20% VCC~80% VCC极,
L_CMOS ≤ Max.
振荡启动
时间
t_str 12ms Max. 在 90% VCC时,t=0
频率老化 f_aging ±5 × 10-6 / year Max. +25°C,第一年
VCC=3.3V

规格(特征)

项目 符号 规格说明 条件
SG-531 PTW
SG-531 STW
SG-531 PHW
SG-531 SHW
SG-531 PCW
SG-531 SCW
输出频率范围 f0 55.001MHz ~ 135.000MHz 26.001MHz ~ 135.000MHz
电源电压 VCC 5.0V ±0.5V 3.3V ±0.3V
储存温度 T_stg -55°C ~ +125°C 裸存
工作温度 T_use -20°C ~ +70°C -40°C ~ +85°C
频率稳
定度
f_tol B: ±50 × 10-6 , C: ±100 × 10-6 -20°C ~ +70°C *1
- M: ±100 × 10-6 -40°C ~ +85°C
功耗 ICC 45mA Max. 28mA Max. 无负载条件 (最大频率范围)
输出
禁用电流
I_dis 30mA Max. 16mA Max. OE=GND (PTW,PHW,PCW)
待机电流 I_std 50μA Max. ST(STW,SHW,SCW)
占空比 SYM - 40% ~ 60% 50% VCC 极,L_CMOS=Max.
40% ~ 60% - 1.4V 极 ,L_CMOS=Max.
输出电压 VOH VCC-0.4V Min. IOH=-16mA(PTW,STW,PHW,SHW)
IOH=-8mA(PCW,SCW)
VOL 0.4V Max. IOL=16mA(PTW,STW,PHW,SHW)
IOL=8mA(PCW,SCW)
输出
负载条件
(TTL)
L_TTL 5TTL Max. - f0 ≤ 90MHz,
最大电源电压
输出
负载条件
(CMOS)
L_CMOS 15pF Max. 最大频率,
最大电源电压
输入电压 VIH 2.0V Min. 70% VCC Min. OE终端或 ST
VIL 0.8V Max. 20% VCC Max.
上升/下降
时间
tr / tf - 4ns Max. 20% VCC~80% VCC极,
L_CMOS ≤ Max.
4ns Max. - 0.4V ~ 2.4V 极
振荡启动
时间
t_str 10ms Max. 在电源电压最低时,
所需时间为0秒
频率老化 f_aging ±5 × 10-6 / year Max. +25°C,第一年
VCC=5.0V,3.3V

*1 "C"公差:f0 ≥ 66.667MHz(PTW,STW,PHW,SHW )

外部尺寸规格

外部尺寸规格

(单位: mm)

说明:
OE引脚 (P,PTJ,PTW,PHW,PCW,PCN,PCG)
OE引脚 = "H"或 "打开":指定的频率输出。
OE引脚 = "L": 输出为高阻抗。 ST引脚(STW, SHW, SCW,SCG)
ST引脚= "H"或 "打开":指定的频率输出。
ST引脚= "L":输出为弱下拉,振荡停止。 为了维持稳定运行,在接近晶体产品的电源输入端处(在VCC-GND之间)添加一个0.01~0.1μF的去耦电容。

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