SG-636系列

规格 (特征)

项目	符号	规格说明			条件
		SG-636 PTF	SG-636 PCE SG-636 SCE	SG-636 PDE
输出 频率范围	f0	2.21675MHz ~ 41.000MHz	2.21675MHz ~ 40.000MHz	2.21675MHz ~ 40.000MHz
电源电压	VCC	5.0V ±0.5V	3.3V ±0.3V	2.5V ±0.25V
储存温度	T_stg	-55°C ~ +100°C			裸存
工作温度	T_use	-20°C ~ +70°C
频率稳 定度	f_tol	C: ±100 × 10-6			-20°C ~ +70°C
功耗	ICC	17mA Max.	9mA Max.	5mA Max.	无负载条件
输出 禁用电流	I_dis	10mA Max.	5mA Max.	3mA Max.	OE=GND
待机电流	I_std	-	2μA Max.	-	ST(SCE)
占空比	SYM	40% ~ 60%	45% ~ 55%		CMOS 负载: 50% VCC极
		45% ~ 55%	-		TTL load:1.4V 极
输出电压	VOH	VCC-0.4V Min.			IOH=-8mA(PTF) IOH=-4mA(SCE,PCE) IOH=-3.2mA(PDE)
	VOL	0.4V Max.			IOL=16mA(PTF) IOL=4mA(SCE,PCE) IOL=3.2mA(PDE)
输出 负载条件 （TTL）	L_TTL	10TTL Max.	-		L_CMOS ≤ 15pF
输出 负载条件 （CMOS）	L_CMOS	50pF Max.	30pF Max.	15pF Max.
输入电压	VIH	2.0V Min.	80% VCC Min.		OE终端 或 ST (SCE)
	VIL	0.8V Max.	20% VCC Max.
上升/ 下降时间	tr / tf	7ns Max.	5ns Max.		CMOS 负载: 20% VCC~80% VCC极
		5ns Max.	-		TTL 负载: 0.4V ~2.4V极
振荡启动 时间	t_str	4ms Max.	4ms Max.		在电源电压最低时， 所需时间为0秒
频率老化	f_aging	±5 × 10-6 / year Max.			+25°C,第一年 VCC=5.0V,3.3V,2.5V,

规格（特征）

项目	符号	规格说明			条件
		SG-636 PTG	SG-636 PHG	SG-636 PCG SG-636 SCG
输出 频率范围	f0	2.21675MHz ~ 33.000MHz *1
电源电压	VCC	4.5V ~ 5.5V		2.7V ~ 3.6V
储存温度	T_stg	-55°C ~ +100°C			裸存
工作温度	T_use	-20°C ~ +70°C
频率稳 定度	f_tol	B: ±50 × 10-6 C: ±100 × 10-6			-20°C ~ +70°C
功耗	ICC	25mA Max.		12mA Max.	无负载条件
输出 禁用电流	I_dis	20mA Max.		10mA Max.	OE=GND(PTG,PHG,PCG)
待机电流	I_std	-		50μA Max.	ST(SCG)
占空比	SYM	-	45% ~ 55%		50% VCC极,L_CMOS=25pF
		40% ~ 60%	-		1.4V 极,L_CMOS=25pF
输出电压	VOH	2.4V Min.	-	VCC-0.4V Min.	IOH=-8mA
		-	VCC-0.4V Min.	-	IOH=-16mA
	VOL	-		0.4V Max.	IOL=8mA
		0.4V Max.		-	IOL=16mA
输出 负载条件	L_CMOS	25pF Max.
输入电压	VIH	2.0V Min.		70% VCC Min.	OE 终端 或 ST
	VIL	0.8V Max.		20% VCC Max.
上升/ 下降时间	tr / tf	-	3.4ns Max.	4ns Max.	20% VCC~80% VCC极, L_CMOS ≤ 25pF
		2.4ns Max.	-		TTL 负载: 0.4V~2.4V极, L_CMOS ≤ 25pF
振荡启动 时间	t_str	12ms Max.			在 90% VCC的时候，t=0
频率老化	f_aging	±5 × 10-6 / year Max.			+25°C,第一年 VCC=5.0V,3.3V

*1 4.1250MHz < f₀ < 4.4336MHz, 8.250MHz < f₀ < 8.8672MHz, 16.500MHz < f₀ < 17.7344MHz ：不可用

规格（特征）

项目	符号	规格说明			条件
		SG-636 PTW SG-636 STW	SG-636 PHW SG-636 SHW	SG-636 PCW SG-636 SCW
输出 频率范围	f0	32.001MHz ~ 135.000MHz
电源电压	VCC	5.0V ±0.5V		3.3V ±0.3V
储存温度	T_stg	-55°C ~ +100°C			裸存
工作温度	T_use	-20°C ~ +70°C
频率稳 定度	f_tol	B: ±50 × 10-6 C: ±100 × 10-6			-20°C ~ +70°C *1
功耗	ICC	45mA Max.		28mA Max.	无负载条件（最大频率范围）
输出 禁用电流	I_dis	30mA Max.		16mA Max.	OE=GND(PTW,PHW,PCW)
待机电流	I_std	50μA Max.			ST(STW,SHW,SCW)
占空比	SYM	-	40% ~ 60%		50% VCC极,L_CMOS=Max.
		40% ~ 60%	-		1.4V 极,L_CMOS=Max.
输出电压	VOH	VCC-0.4V Min.			IOH=-16mA(PTW,STW,PHW,SHW) IOH=-8mA(PCW,SCW)
	VOL	0.4V Max.			IOL=16mA(PTW,STW,PHW,SHW) IOL=8mA(PCW,SCW)
输出 负载条件 （TTL）	L_TTL	5TTL Max.	-	-	f0 ≤ 90MHz, 最大电源电压
输出 负载条件 （CMOS）	L_CMOS	15pF Max.			最大频率, 最大电源电压
输入电压	VIH	2.0V Min.		70% VCC Min.	OE 终端 或 ST
	VIL	0.8V Max.		20% VCC Max.
上升/ 下降时间	tr / tf	-	4ns Max.		20% VCC~80% VCC极, L_CMOS ≤ Max.
		4ns Max.	-	-	0.4V ~ 2.4V 极
振荡启动 时间	t_str	10ms Max.			在电源电压最低时， 所需时间为0秒
频率老化	f_aging	±5 × 10-6 / year Max.			+25°C,第一年 VCC=5.0V,3.3V

*1 SG-636 系列 "C"公差： 40MHz<f0≤135MHz

外部尺寸规格

(单位: mm)

在该产品顶部或底部可能暴露着金属材料。
但这不影响任何质量、可靠性或电气规范等。 说明：
OE引脚 (PTF,PH,PCE,PDE,PTW,PHW,PCW,PTG,PHG,PCG)
OE引脚= "H"或"打开"：指定的频率输出。
OE引脚= "L"：输出为高阻抗。 ST引脚 (STW, SHW, SCW,SCG)
ST引脚 = "H"或"打开"：指定的频率输出。
ST引脚 = "L"：输出为低价，振荡停止。 ST引脚 (SCE)
ST引脚 = "H"或"打开"：指定的频率输出。
ST引脚 = "L"：输出为弱下拉，振荡停止。

推荐焊盘尺寸

(单位: mm)

为了维持稳定运行，在接近晶体产品的电源输入端处
（在V_CC-GND之间）添加一个0.01~0.1μF的去耦电容。