SG-636SCE (晶体振荡器 SPXO)

RoHS Compliant

SG-636系列

规格 (特征)

项目	符号	规格说明			条件
项目	符号	SG-636 PTF	SG-636 PCE SG-636 SCE	SG-636 PDE	条件
输出频率范围	f₀	2.21675MHz ~ 41.000MHz	2.21675MHz ~ 40.000MHz	2.21675MHz ~ 40.000MHz
电源电压	V_CC	5.0V ±0.5V	3.3V ±0.3V	2.5V ±0.25V
储存温度	T_stg	-55°C ~ +100°C			裸存
工作温度	T_use	-20°C ~ +70°C
频率稳定度	f_tol	C: ±100 × 10^-6			-20°C ~ +70°C
功耗	I_CC	17mA Max.	9mA Max.	5mA Max.	无负载条件
输出禁用电流	I_dis	10mA Max.	5mA Max.	3mA Max.	OE=GND
待机电流	I_std	-	2μA Max.	-	ST(SCE)
占空比	SYM	40% ~ 60%	45% ~ 55%		CMOS 负载: 50% V_CC极
占空比	SYM	45% ~ 55%	-		TTL load:1.4V 极
输出电压	V_OH	V_CC-0.4V Min.			I_OH=-8mA(PTF) I_OH=-4mA(SCE,PCE) I_OH=-3.2mA(PDE)
输出电压	V_OL	0.4V Max.			I_OL=16mA(PTF) I_OL=4mA(SCE,PCE) I_OL=3.2mA(PDE)
输出负载条件（TTL）	L_TTL	10TTL Max.	-		L_CMOS ≤ 15pF
输出负载条件（CMOS）	L_CMOS	50pF Max.	30pF Max.	15pF Max.
输入电压	V_IH	2.0V Min.	80% V_CC Min.		OE终端或 ST (SCE)
输入电压	V_IL	0.8V Max.	20% V_CC Max.		OE终端或 ST (SCE)
上升/ 下降时间	tr / tf	7ns Max.	5ns Max.		CMOS 负载: 20% V_CC~80% V_CC极
上升/ 下降时间	tr / tf	5ns Max.	-		TTL 负载: 0.4V ~2.4V极
振荡启动时间	t_str	4ms Max.	4ms Max.		在电源电压最低时，所需时间为0秒
频率老化	f_aging	±5 × 10^-6 / year Max.			+25°C,第一年 V_CC=5.0V,3.3V,2.5V,

(单位: mm)

在该产品顶部或底部可能暴露着金属材料。
但这不影响任何质量、可靠性或电气规范等。说明：
ST引脚 (SCE)
ST引脚 = "H"或"打开"：指定的频率输出。
ST引脚 = "L"：输出为弱下拉，振荡停止。