TG5032CBN (TCXO/VC-TCXO超高精度 10 引脚)

TG5032CBNTG5032CBN

Complies with EU RoHS directive. Pb free.
  • 频率范围
    :10MHz to 50MHz
  • 电源电压
    :3.3V Typ./5.0V Typ.
  • 频率温度特征
    :±0.28 × 10-6 Max.(Stratum3规格)
  • 频率老化
    :±3.0 × 10-6 Max./20years(Stratum3规格)
  • 外部尺寸
    :5.0 × 3.2 × 1.45mm(10 引脚)
  • 应用
    :Network system, Stratum3, Microwave BTS
  • 特性
    :超高精度

规格(特征)

项目 符号 TG5032CBN
(CMOS)
条件
VC-TCXO TCXO
输出频率范围 f0 10 MHz ~ 50 MHz  
10 , 12.8 , 15.36 , 16.384 , 19.44 , 20 , 24 ,
24.576 , 25 , 26 , 27 , 30.72 , 40 , 49.152 , 50 MHz
标准频率
电源电压 VCC C : 3.3 V ± 5 % , H : 5.0 V ± 5 % (电源电压范围 : 2.7 V ~ 5.5 V)  
储存温度范围 T_stg -40 °C ~ +90 °C 存储为单一产品
工作温度范围 T_use G : -40 °C ~ +85 °C  
a) 频率初期公差 f_tol ±1.0 × 10-6 Max. ( 10 MHz ≦ f0 ≦ 40 MHz ) 在回流焊后 , +25 °C
±0.9 × 10-6 Max. ( 40 MHz < f0 ≦ 50 MHz )
b) 频率温度特征 fo-TC B : ±0.28 × 10-6 Max. ( Stratum3规格 )
H : ±0.25 × 10-6 Max. ( Stratum3规格 ) : 选择
-40 °C ~ +85 °C
c) 频率负载变动特征 fo-Load ±0.1 × 10-6 Max. ( 10 MHz ≦ f0 ≦ 40 MHz ) Load ±10 %
±0.2 × 10-6 Max.( 40 MHz < f0 ≦ 50 MHz )
d) 频率电源电压特征 fo-VCC ±0.1 × 10-6 Max. ( 10 MHz ≦ f0 ≦ 40 MHz ) VCC ± 5 %
±0.2 × 10-6 Max. ( 40 MHz < f0 ≦ 50 MHz )
e) 频率老化 f_age ±0.5 × 10-6 Max +25 °C , 第一年
±3.0× 10-6 Max. ( Stratum3规格 ) +25 °C , 20年
Holdover stability
(温度固定)
- ±0.01× 10-6 Max. ( +25 °C , 24时间 ) 工作开始10日后基准
±0.04× 10-6 Max. ( +25 °C , 24时间 ) 工作开始48时间后基准
Free-run accuracy - ±4.6× 10-6 Max. 这包括项目 a) , b) , c) , d) , e).
功耗 ICC 5.0 mA Max. ( 3.3 V ) / 6.0 mA Max. ( 5.0 V ) 10 MHz ≦ f0 ≦ 26 MHz
6.0 mA Max. ( 3.3 V ) / 8.0 mA Max. ( 5.0 V ) 26 MHz < f0 ≦ 40 MHz
8.0 mA Max. ( 3.3 V ) / 10.0 mA Max. ( 5.0 V ) 40 MHz < f0 ≦ 50 MHz
输入电阻 Rin 100 kΩ Min. - VC- GND (DC)
频率控制范围 f_cont ±5 × 10-6 ~ ±10 ×10-6 - J , D : VC = 1.5 V ± 1.0 V at VCC = 3.3 V
K , E : VC = 1.65 V ± 1.0 V at VCC = 3.3 V
L , H : VC = 2.5 V ± 2.0 V at VCC = 5.0 V
频率变化极 - 正极 -  
占空比 SYM 45 % ~ 55 % GND极 (DC 切割)
输出电压 VOH 90 % VCC Min.  
VOL 10 % VCC Max.  
上升/下降 时间 tr/tf 8.0 ns Max. 10 % VCC ~ 90 % VCC
输出负载 : 15 pF
振荡启动时间 t_str 2.0 sec. Max.(Filter: 标准) / 5.0 ms Max.(Non-Filter: 选择) 在90 % VCC 时,所需时间为0 秒
输出负载 Load 15 pF  
输入电压 VIH 0.7VCC Min. OE 终端(启用电压)
VIH 0.3VCC Max. OE 终端(禁用电压)

说明:请联系我们以便获取上述内容未涉及的其它规格产品的相关信息

产品名称(标准显示)

品名例

外部尺寸规格

dimension

(単位: mm)

推荐焊盘尺寸

footprint

(単位: mm)

为了维持稳定运行,在接近晶体产品的电源输入端处(在VCC - GND 之间)添加一个0.1µF的去耦电容

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