TG5032SAN (TCXO/VC-TCXO超高精度 10 引脚)
- 频率范围
:10MHz to 50MHz
- 电源电压
:3.3V Typ. / 5.0VTyp.
- 频率温度特征
:±0.1× 10-6 Max. *1
- 频频率老化
:±0.02× 10-6 Max./24时间 *2
- 外部尺寸
:5.0 × 3.2 × 1.45mm(10 引脚)
- 应用
:Femto Cell, Small Cells
- 特性
:超高精度
TG5032SAN
(1.5MB)规格（特征）
| 项目 | 符号 | TG5032SAN (Clipped sine wave) |
条件 | |
|---|---|---|---|---|
| VC-TCXO | TCXO | |||
| 输出频率范围 | f0 | 10 MHz ~ 50 MHz | ||
| 19.2 , 26 , 30.72 , 40 MHz | 标准频率 | |||
| 电源电压 | VCC | C : 3.3 V ± 5 % , H : 5.0V ± 5 % (电源电压范围 : 2.7 V ~ 5.5 V) | ||
| 储存温度范围 | T_stg | -40 °C ~ +90 °C | 存储为单一产品 | |
| 工作温度范围 | T_use | A : 0 °C ~ +70 °C | 标准温度范围 | |
| 频率初期公差 | f_tol | ±2.0 × 10-6 Max. | 在回流焊后 , +25 °C | |
| 频率温度特征*1 | fo-TC | A : ±0.1 × 10-6 Max. | A : 0 ~ +70 °C (标准) | |
| H : ±0.25 × 10-6 Max. | G : -40 ~ +85 °C (选择) | |||
| 频率负载变动特征 | fo-Load | ±0.1 × 10-6 Max. ( 10 MHz ≦ f0 ≦ 40 MHz ) | Load ±10 % | |
| ±0.2 × 10-6 Max. ( 40 MHz < f0 ≦ 50 MHz ) | ||||
| 频率电源电压特征 | fo-VCC | ±0.1 × 10-6 Max. ( 10 MHz ≦ f0 ≦ 40 MHz ) | VCC ± 5 % | |
| ±0.2 × 10-6 Max. ( 40 MHz < f0 ≦ 50 MHz ) | ||||
| 频率老化*2 | f_age | ±0.02 × 10-6 Max. | +25 °C , 24时间 | |
| ±1.0 × 10-6 Max. | +25 °C , 第一年 | |||
| 功耗 | ICC | 5.0 mA Max. | ||
| 输入电阻 | Rin | 100 kΩ Min. | - | VC- GND (DC) |
| 频率控制范围 | f_cont | ± 5 × 10-6 ~ ± 10 × 10-6 | - | J , D : VC = 1.5 V ± 1.0 V at VCC = 3.3 V K , E : VC = 1.65 V ± 1.0 V at VCC = 3.3 V L , H : VC = 2.5 V ± 2.0 V at VCC = 5.0 V |
| 频率变化极 | - | 正极 | - | |
| 输出电压极 |
VPP | 0.8 V Min. | 峰 - 峰值 | |
| 振荡启动时间 | t_str | 2.0 sec. Max.(Filter: 标准) / 5.0 ms Max.(Non-Filter: 选择) | 在90 % VCC 时，所需时间为0 秒 | |
| 输出负载 | Load | 10 kΩ / 10 pF | ||
说明：请联系我们以便获取上述内容未涉及的其它规格产品的相关信息
*1 频率(fmax+fmin)/2 基准
*2 工作开始48 时间后基准
产品名称(标准显示)
外部尺寸规格
(単位: mm)
推荐焊盘尺寸
(単位: mm)
为了维持稳定运行，在接近晶体产品的电源输入端处（在VCC - GND 之间）添加一个0.1µF的去耦电容
