TG5032SBN (TCXO/VC-TCXO超高精度 10 引脚)
- 频率范围
:10MHz to 50MHz
- 电源电压
:3.3V Typ./5.0V Typ.
- 频率温度特征
:±0.28 × 10-6 Max.(Stratum3规格)
- 频率老化
:±3.0 × 10-6 Max./20years(Stratum3规格)
- 外部尺寸
:5.0 × 3.2 × 1.45mm(10 引脚)
- 应用
:Network system, Stratum3, SyncE, IEEE1588, Microwave BTS
- 特性
:超高精度
TG5032SBN
(1.5MB)Design Support Data Download
规格（特征）
| 项目 | 符号 | TG5032SBN (Clipped sine wave) |
条件 | ||
|---|---|---|---|---|---|
| VC-TCXO | TCXO | ||||
| 输出频率范围 | f0 | 10 MHz ~ 50 MHz | |||
| 10 , 12.8 , 15.36 , 16.384 , 19.44 , 20 , 24 ,
24.576 , 25 , 26 , 27 , 30.72 , 40 , 49.152 , 50 MHz |
标准频率 | ||||
| 电源电压 | VCC | C : 3.3 V ± 5 % , H : 5.0 V ± 5 % (电源电压范围 : 2.7 V ~ 5.5 V) | |||
| 储存温度范围 | T_stg | -40 °C ~ +90 °C | 存储为单一产品 | ||
| 工作温度范围 | T_use | G : -40 °C ~ +85 °C | |||
| a) 频率初期公差 | f_tol | ±1.0 × 10-6 Max. ( 10 MHz ≦ f0 ≦ 40 MHz ) | 在回流焊后 , +25 °C | ||
| ±0.9 × 10-6 Max. ( 40 MHz < f0 ≦ 50 MHz ) | |||||
| b) 频率温度特征 | fo-TC | B : ±0.28 × 10-6 Max. ( Stratum3规格 ) H : ±0.25 × 10-6 Max. ( Stratum3规格 ) : 选择 |
-40 °C ~ +85 °C | ||
| c) 频率负载变动特征 | fo-Load | ±0.1 × 10-6 Max. ( 10 MHz ≦ f0 ≦ 40 MHz ) | Load ±10 % | ||
| ±0.2 × 10-6 Max. ( 40 MHz < f0 ≦ 50 MHz ) | |||||
| d) 频率电源电压特征 | fo-VCC | ±0.1 × 10-6 Max. ( 10 MHz ≦ f0 ≦ 40 MHz ) | VCC ± 5 % | ||
| ±0.2 × 10-6 Max. ( 40 MHz < f0 ≦ 50 MHz ) | |||||
| e) 频率老化 | f_age | ±0.5 × 10-6 Max | +25 °C , 第一年 | ||
| ±3.0 × 10-6 Max. ( Stratum3规格 ) | +25 °C , 20年 | ||||
| Holdover stability (温度固定) |
- | ±0.01× 10-6 Max. ( +25 °C , 24时间 ) | 工作开始10日后基准 | ||
| ±0.04 × 10-6 Max. ( +25 °C , 24时间 ) | 工作开始48时间后基准 | ||||
| Wander generation ( MTIE, TDEV ) |
- | - | 符合 GR-1244CORE , ITU-T G.8262 | ||
| Free-run accuracy | - | ±4.6 × 10-6 Max. | 这包括项目 a) , b) , c) , d) , e) | ||
| 功耗 | ICC | 5.0 mA Max. | |||
| 输入电阻 | Rin | 100 kΩ Min. | - | VC - GND (DC) | |
| 频率控制范围 | f_cont | ±5 × 10-6 ~ ±10 ×10-6 | - | J , D : VC = 1.5 V ± 1.0 V at VCC = 3.3 V
K , E : VC = 1.65 V ± 1.0 V at VCC = 3.3 V L , H : VC = 2.5 V ± 2.0 V at VCC = 5.0 V |
|
| 频率变化极 | - | 正极 | - | ||
| 输出电压极 |
VPP | 0.8 V Min. | 峰 - 峰值 | ||
| 上升/下降 时间 | tr/tf | 8.0 ns Max. | - | 10 % VCC ~ 90 % VCC 极 输出负载 : 15 pF |
|
| 振荡启动时间 | 2.0 sec. Max.(Filter: 标准) / 5.0 ms Max.(Non-Filter: 选择) | 在90 % VCC 时，所需时间为0 秒 | |||
| 输出负载 | Load | 10 kΩ/10pF | |||
| 输入电压 | VIH | 0.7 VCC Min. | OE 终端(启用电压) | ||
| VIH | 0.3 VCC Max. | OE 终端(禁用电压) | |||
说明：请联系我们以便获取上述内容未涉及的其它规格产品的相关信息
产品名称(标准显示)
外部尺寸规格
(単位: mm)
推荐焊盘尺寸
(単位: mm)
为了维持稳定运行，在接近晶体产品的电源输入端处（在VCC - GND 之间）添加一个0.1µF的去耦电容
