TG5032SBN (TCXO/VC-TCXO超高精度 10 引脚)

TG5032CBNTG5032CBN/SBN

Complies with EU RoHS directive. Pb free.
  • 频率范围
    :10MHz to 50MHz
  • 电源电压
    :3.3V Typ./5.0V Typ.
  • 频率温度特征
    :±0.28 × 10-6 Max.(Stratum3规格)
  • 频率老化
    :±3.0 × 10-6 Max./20years(Stratum3规格)
  • 外部尺寸
    :5.0 × 3.2 × 1.45mm(10 引脚)
  • 应用
    :Network system, Stratum3, Microwave BTS
  • 特性
    :超高精度

规格(特征)

项目 符号 TG5032CBN
(CMOS)
TG5032SBN
(Clipped sine wave)
条件
VC-TCXO TCXO VC-TCXO TCXO
输出频率范围 f0 10 MHz ~ 50 MHz  
10, 12.8, 15.36, 16.384, 19.44, 20, 24,
24.576, 25, 26, 27, 30.72, 40, 49.152, 50 MHz
标准频率
电源电压 VCC C: 3.3 V ± 5% , H: 5.0 V ± 5% (电源电压范围 :2.7 V ~ 5.5 V)  
储存温度范围 T_stg -40°C ~ +90°C 裸存
工作温度范围 T_use G: -40 °C ~ +85°C  
a) 频率初期公差 f_tol ±1.0 × 10-6 Max. (10 MHz ≦ f0 ≦ 40 MHz) 在回流焊后, +25 °C
±0.9 × 10-6 Max. (40 MHz < f0 ≦ 50 MHz)
a) 频率温度特征 fo-TC B: ±0.28 × 10-6 Max. (Stratum3规格)
H: ±0.25 × 10-6 Max. (Stratum3规格):选择
-40°C ~ +85°C
a) 频率负载变动特征 fo-Load ±0.1 × 10-6 Max. (10 MHz≦f0≦40 MHz) Load ±10 %
±0.2 × 10-6 Max. (40 MHz < f0 ≦ 50 MHz)
a) 频率电源电压特征 fo-VCC ±0.1 × 10-6 Max. (10 MHz≦f0≦40 MHz) VCC ±5 %
±0.2 × 10-6 Max. (40 MHz < f0 ≦ 50 MHz)
a) 频率老化 f_age ±0.5 × 10-6 Max +25°C ,第一年
±3.0 × 10-6 Max. (Stratum3规格) +25°C ,20年
Holdover stability
(温度固定)
- ±0.01× 10-6 Max. (+25 °C , 24时间) 工作开始10日后基准
±0.04 × 10-6 Max. (+25 °C , 24时间) 工作开始48时间后基准
Free-run accuracy - ±4.6 × 10-6 Max. 这包括项目a).
功耗 ICC 5.0 mA Max. /6.0 mA Max. 5.0 mA Max. 10 MHz≦f0≦26 MHz (3.3V/5.0V)
6.0 mA Max./ 8.0 mA Max. 26 MHz<f0≦40 MHz (3.3V/5.0V)
8.0 mA Max./ 10.0 mA Max. 40 MHz<f0≦50 MHz (3.3V/5.0V)
输入电阻 Rin 100 kΩ Min. - 100 kΩ Min. - VC- GND (DC)
频率控制范围 f_cont ±5 × 10-6 ~ ±10 ×10-6 - ±5 × 10-6 ~ ±10 ×10-6 - J,D:VC=1.5 V ± 1.0 V at VCC =3.3V
K,E:VC=1.65 V ± 1.0 V at VCC =3.3V
L,H:VC=2.5 V ± 2.0 V at VCC =5.0V
频率变化极 - 正极 - 正极 -  
占空比 SYM 45 % ~55 % - GND极 (DC 切割)
输出电压 VOH 90% VCC Min. -  
VOL 10% VCC Max. -  
输出电压极
VPP - 0.8 Min. 峰-峰值
上升/下降 时间 tr/tf 8.0 ns Max. - 10 % VCC ~ 90 % VCC
输出负载 : 15 pF
振荡启动时间   2.0 sec. Max.(Filter: 标准) / 5.0 ms Max.(Non-Filter: 选择) 在90 % VCC 时,所需时间为0 秒
输出负载 Load 15pF 10 kΩ/10pF  
输入电压 VIH 0.7 VCC Min. OE 终端(启用电压)
VIH 0.3 VCC Max. OE 终端(禁用电压)

说明:请联系我们以便获取上述内容未涉及的其它规格产品的相关信息

产品名称(标准显示)

品名例

外部尺寸规格

dimension

(単位: mm)

推荐焊盘尺寸

footprint

(単位: mm)

为了维持稳定运行,在接近晶体产品的电源输入端处(在VCC-GND 之间)添加一个0.1uF的去耦电容

Page Top