TG5032SBN

规格（特征）

项目	符号	TG5032SBN (Clipped sine wave)			条件
		VC-TCXO		TCXO
输出频率范围	f0	10 MHz ~ 50 MHz
		10 , 12.8 , 15.36 , 16.384 , 19.44 , 20 , 24 , 24.576 , 25 , 26 , 27 , 30.72 , 40 , 49.152 , 50 MHz			标准频率
电源电压	VCC	C : 3.3 V ± 5 % , H : 5.0 V ± 5 % (电源电压范围 : 2.7 V ~ 5.5 V)
储存温度范围	T_stg	-40 °C ~ +90 °C			存储为单一产品
工作温度范围	T_use	G : -40 °C ~ +85 °C
a) 频率初期公差	f_tol	±1.0 × 10-6 Max. ( 10 MHz ≦ f0 ≦ 40 MHz )			在回流焊后 , +25 °C
		±0.9 × 10-6 Max. ( 40 MHz < f0 ≦ 50 MHz )
b) 频率温度特征	fo-TC	B : ±0.28 × 10-6 Max. ( Stratum3规格 ) H : ±0.25 × 10-6 Max. ( Stratum3规格 ) : 选择			-40 °C ~ +85 °C
c) 频率负载变动特征	fo-Load	±0.1 × 10-6 Max. ( 10 MHz ≦ f0 ≦ 40 MHz )			Load ±10 %
		±0.2 × 10-6 Max. ( 40 MHz < f0 ≦ 50 MHz )
d) 频率电源电压特征	fo-VCC	±0.1 × 10-6 Max. ( 10 MHz ≦ f0 ≦ 40 MHz )			VCC ± 5 %
		±0.2 × 10-6 Max. ( 40 MHz < f0 ≦ 50 MHz )
e) 频率老化	f_age	±0.5 × 10-6 Max			+25 °C , 第一年
		±3.0 × 10-6 Max. ( Stratum3规格 )			+25 °C , 20年
Holdover stability (温度固定)	-	±0.01× 10-6 Max. ( +25 °C , 24时间 )			工作开始10日后基准
		±0.04 × 10-6 Max. ( +25 °C , 24时间 )			工作开始48时间后基准
Wander generation ( MTIE, TDEV )	-	-			符合 GR-1244CORE , ITU-T G.8262
Free-run accuracy	-	±4.6 × 10-6 Max.			这包括项目 a) , b) , c) , d) , e)
功耗	ICC	5.0 mA Max.
输入电阻	Rin	100 kΩ Min.		-	VC - GND (DC)
频率控制范围	f_cont	±5 × 10-6 ~ ±10 ×10-6		-	J , D : VC = 1.5 V ± 1.0 V at VCC = 3.3 V K , E : VC = 1.65 V ± 1.0 V at VCC = 3.3 V L , H : VC = 2.5 V ± 2.0 V at VCC = 5.0 V
频率变化极	-	正极		-
输出电压极	VPP	0.8 V Min.			峰 - 峰值
上升/下降 时间	tr/tf	8.0 ns Max.	-		10 % VCC ~ 90 % VCC 极 输出负载 : 15 pF
振荡启动时间		2.0 sec. Max.(Filter: 标准) / 5.0 ms Max.(Non-Filter: 选择)			在90 % VCC 时，所需时间为0 秒
输出负载	Load	10 kΩ/10pF
输入电压	VIH	0.7 VCC Min.			OE 终端(启用电压)
	VIH	0.3 VCC Max.			OE 终端(禁用电压)

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产品名称(标准显示)

外部尺寸规格

(単位: mm)

推荐焊盘尺寸

(単位: mm)

为了维持稳定运行，在接近晶体产品的电源输入端处（在V_CC - GND 之间）添加一个0.1µF的去耦电容