TG-5500CA

规格 (特征)

项目	符号	CMOS		Clipped sine wave		条件
		VC-TCXO	TCXO	VC-TCXO	TCXO
输出频率范围	f0	10MHz to 50MHz
		10, 12.8, 15.36, 16.384, 19.44, 20, 24, 24.576, 25, 26, 27, 30.72, 40, 49.152, 50 MHz				标准频率
电源电压	VCC	3.3V± 5% , 5.0V± 5%(电源电压范围 :2.7V to 5.5V)
储存温度范围	T_stg	-40°C to +90°C				裸存
工作温度范围	T_use	-40°C to +85°C
a) 频率初期公差	f_tol	±1.0 ×10-6 Max				在回流焊后,+25°C
a) 频率温度特征	f0-TC	±0.28 × 10-6 Max.(12.8 MHz≦f0≦50 MHz) ±0.25 × 10-6 Max.(12.8 MHz≦f0≦50 MHz):选择				-40°C to +85°C
		±1.0×10-6 Max.(10MHz≦f0<12.8MHz)
a) 频率负载变动特征	f0-Load	±0.1×10-6 Max.				Load ±10%
a) 频率电源电压特征	f0-VCC	±0.1×10-6 Max.				VCC ± 5%
a) 频率老化	f_age	±0.5×10-6 Max.				+25°C,第一年
		±3.0×10-6 Max.(Stratum3规格)				+25°C,20 年
Holdover stability (温度固定)	-	±0.01×10-6 Max.(+25 °C , 24时间)				工作开始10日后基准
		±0.04×10-6 Max.(+25 °C , 24时间)				工作开始48时间后基准
Free-run accuracy	-	±4.6 × 10-6 Max.(12.8 MHz≦f0≦50 MHz)				这包括项目a).
功耗	ICC	5.0mA Max. / 6.0mA Max.		5.0mA Max.		10MHz≦f0≦26MHz (3.3V/5.0V)
		6.0mA Max./ 8.0mA Max.				26MHz<f0≦40MHz (3.3V/5.0V)
		8.0mA Max. / 10.0mA Max.				40MHz<f0≦50MHz (3.3V/5.0V)
输入电阻	Rin	100kΩ Min.	-	100kΩ Min.	-	VC- GND (DC)
频率控制范围	f_cont	±5.0×10-6 to ±12.0 ×10-6	-	±5.0×10-6 to ±12.0 ×10-6	-	VC=1.65V ±1.65V at VCC=3.3V VC=2.5V ±2.0V at VCC=5.0V
频率变化极	-	正极	-	正极	-
占空比	SYM	45% to 55%		-		GND level(DC切割)
输出电压	VOH	90%VCC Min.		-
	VOL	10%VCC Max.		-
输出电压极	Vpp	-		0.8 V Min.		Peak to Peak
上升/下降 时间	tr/tf	8.0 ns Max.		-		10 % VCC ~ 90 % VCC 极 输出负载 : 15 pF
振荡启动时间	t_str	2.0 sec. Max.				在90 % VCC 时，所需时间为0 秒
输出负载条件	Load	15pF		10 kΩ//10 pF
输出负载	VIH	0.7 VCC Min.				OE终端(启用电压)
	VIL	0.3 VCC Max.				OE终端(禁用电压)

*说明：请联系我们以便获取上述内容未涉及的其它规格产品的相关信息。

外部尺寸规格

(单位: mm)

OE 引脚 = "H"或 "打开"：指定的频率输出。
OE 引脚 = "L"： 输出为高阻抗。

推荐焊盘尺寸

(单位: mm)

为了维持稳定运行，在接近晶体产品的电源输入端处（在V_CC-GND之间）添加一个0.01~0.1µF的去耦电容。