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TG-5500CA (TCXO 超高精度) 10 引脚

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TG-5500CATG-5500CA

Complies with EU RoHS directive. Pb free.
  • 频率范围
    :10MHz to 50MHz
  • 电源电压
    :3.3V Typ. /5.0V Typ.
  • 频率温度特征
    :±0.28 × 10-6 Max.(Stratum3规格)
  • 频率老化
    :±3.0 × 10-6 Max./20年(Stratum3规格)
  • 外部尺寸
    :7.0 × 5.0 × 1.5mm (10 pads)
  • 应用
    :Network system, Stratum3,Microwave BTS
  • 特性
    :超高精度

规格 (特征)

项目 符号 CMOS Clipped sine wave 条件
VC-TCXO TCXO VC-TCXO TCXO
输出频率范围 f0 10MHz to 50MHz
10, 12.8, 15.36, 16.384, 19.44, 20, 24,
24.576, 25, 26, 27, 30.72, 40, 49.152, 50 MHz		 标准频率
电源电压 VCC 3.3V± 5% , 5.0V± 5%(电源电压范围 :2.7V to 5.5V)
储存温度范围 T_stg -40°C to +90°C 裸存
工作温度范围 T_use -40°C to +85°C
a) 频率初期公差 f_tol ±1.0 ×10-6 Max 在回流焊后,+25°C
a) 频率温度特征 f0-TC ±0.28 × 10-6 Max.(12.8 MHz≦f0≦50 MHz)
±0.25 × 10-6 Max.(12.8 MHz≦f0≦50 MHz):选择		 -40°C to +85°C
±1.0×10-6 Max.(10MHz≦f0<12.8MHz)
a) 频率负载变动特征 f0-Load ±0.1×10-6 Max. Load ±10%
a) 频率电源电压特征 f0-VCC ±0.1×10-6 Max. VCC ± 5%
a) 频率老化 f_age ±0.5×10-6 Max. +25°C,第一年
±3.0×10-6 Max.(Stratum3规格) +25°C,20 年
Holdover stability
(温度固定) 		- ±0.01×10-6 Max.(+25 °C , 24时间) 工作开始10日后基准
±0.04×10-6 Max.(+25 °C , 24时间) 工作开始48时间后基准
Free-run accuracy  - ±4.6 × 10-6 Max.(12.8 MHz≦f0≦50 MHz) 这包括项目a).
功耗 ICC 5.0mA Max. / 6.0mA Max. 5.0mA Max.  10MHz≦f0≦26MHz (3.3V/5.0V)
6.0mA Max./ 8.0mA Max. 26MHz<f0≦40MHz (3.3V/5.0V)
8.0mA Max. / 10.0mA Max. 40MHz<f0≦50MHz (3.3V/5.0V)
输入电阻 Rin 100kΩ Min. - 100kΩ Min. - VC- GND (DC)
频率控制范围 f_cont ±5.0×10-6
to ±12.0 ×10-6		 - ±5.0×10-6
to ±12.0 ×10-6		 - VC=1.65V ±1.65V at VCC=3.3V
VC=2.5V ±2.0V at VCC=5.0V
频率变化极 - 正极 - 正极 -
占空比 SYM 45% to 55% - GND level(DC切割)
输出电压 VOH 90%VCC Min. -
VOL 10%VCC Max. -
输出电压极 Vpp - 0.8 V Min. Peak to Peak
上升/下降 时间 tr/tf 8.0 ns Max. - 10 % VCC ~ 90 % VCC 极
输出负载 : 15 pF
振荡启动时间 t_str 2.0 sec. Max. 在90 % VCC 时，所需时间为0 秒
输出负载条件 Load 15pF 10 kΩ//10 pF
输出负载 VIH 0.7 VCC Min. OE终端(启用电压)
VIL 0.3 VCC Max. OE终端(禁用电压)

*说明：请联系我们以便获取上述内容未涉及的其它规格产品的相关信息。

外部尺寸规格

外部尺寸规格

(单位: mm)

OE 引脚 = "H"或 "打开"：指定的频率输出。
OE 引脚 = "L"： 输出为高阻抗。

推荐焊盘尺寸

推荐焊盘尺寸

(单位: mm)

为了维持稳定运行，在接近晶体产品的电源输入端处（在VCC-GND之间）添加一个0.01~0.1µF的去耦电容。

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