VG-4231CE (压控晶体振荡器(VCXO) 超小超薄型,宽拖动范围)
- 频率范围
:3MHz ~ 50MHz
50MHz is not included in Output frequency range. - 电源电压
:3.3V Typ. (PSCM / CSCM):2.8V Typ. (PSBM / CSBM):1.8V Typ. (PQEM / CQEM) - 频率控制范围
:±140 × 10-6 (*SCM / *SBM):±120 × 10-6 (*QEM) - 低功耗
:1.0mA Typ.(27MHz,3.3V) - 外部尺寸规格
:3.2 × 2.5 × 1.05mm
规格 (特征)
项目 | 符号 | 规格说明 | 条件 | ||
---|---|---|---|---|---|
PSCM / CSCM | PSBM / CSBM | PQEM / CQEM | |||
输出频率范围 | f0 | 3MHz ~ 50MHz 50MHz is not included in Output frequency range. |
24MHz ~ 30MHz | 请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息。 | |
电源电压 | VCC | C : 3.3V ± 0.3V | B : 2.8V ± 0.2V | E : 1.8V ± 0.2V | |
储存温度 | T_stg | -40°C ~ +125°C | 作为单一产品存储 | ||
工作温度 | T_use | 如下表所示 | |||
频率稳定度 | f_tol | 如下表所示 | C : VC=1.65V B : VC=1.40V E : VC=0.90V |
||
功耗 | ICC | 7mA Max. | 6.8mA Max. | 1.2mA Max. | 无负载条件 |
频率控制范围 | f_cont | S : ± 140 × 10-6 | Q:± 120 × 10-6 | VC = 50% VCC ±50% VCC | |
调制特性 | BW | 15kHz Min. | ±3dB(1kHz 处) | ||
输入电阻 | Rin | M : 5MΩ Min. | DC 级别 | ||
频率变化极 | ― | 正极 | VC = 0V 到 VCC | ||
占空比 | SYM | 40% to 60% | CMOS负载:50% VCC级别 | ||
输出电压 | VOH | VCC - 0.4V Min. | IOH = -3.0mA | ||
VOL | 0.4V Max. | IOL = 3.0mA | |||
输出负载条件 (CMOS) | L_CMOS | 15pF Max. | CMOS负载 | ||
上升/下降时间 | tr / tf | 4ns Max. | 6ns Max. | CMOS负载: 20% VCC ~ 80% VCC 级别 |
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振荡启动时间 | t_str | 5ms Max. | 在90% VCC 时 , 所需时间为0秒 | ||
频率老化 | f_aging | ± 5 × 10-6 Max. | +25°C,5年 |
* 在VCC加电期间,请保持VC引脚打开或接地。
外部尺寸规格
(单位: mm)
推荐焊盘尺寸
(单位: mm)
为了维持稳定运行,在接近晶体产品的电源输入端处
(在VCC-GND之间)添加一个0.01~0.1μF的去耦电容。