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RX-4035LC (内置时间戳和电源开关的高稳定性频率 SPI-Bus 接口的实时时钟模块)
- 内置32.768kHz 晶体单元
:经过调整的高精度频率.
(±5 × 10-6 / Ta=+25°C) - 接口类型
:SPI-Bus (1MHz)
- 时钟电压范围
:1.0V to 5.5V
- 低电流计时保持
:350nA (SA) 400nA (LC) / 3V(Typ.)
- 事件检测和时间戳
:单次完整的时间戳和中断。
- 双事件检测端口
:每个端口有一个噪声抑制电路.
- 自动电源切换功能
:当VDD低于2.4V时,内部电源自动切换到VBAT
电路框图
概览
- 事件检测和时间戳功能
- 双事件检测端口
- 可选的35ms或2s作为抑制噪声的周期
- 可用的事件检测中断输出
- 电源切换功能
- 当VDD低于2.4V时,由内部源切换到VBAT.
- 注意: 当电池供电时,SPI接口无效.
- 报警,定期的中断,32.768kHz 时钟输出.
- 提供每月报警和每周报警
- 中断周期可以选择2Hz到一个月一次
- 由VDD供电CLKOUT输出32.768kHz 时钟
规格(特征)
*( 请参考"Application Manual"章节内容,以获取更多详细信息
推荐的工作条件
项目 | 符号 | 条件 | Min. | Typ. | Max. | 单位 |
---|---|---|---|---|---|---|
电源电压 | VACCESS | VDD | 2.4 | 3.0 | 5.5 | V |
时钟电压 | VCLK | VBAT | 1.0 | 3.0 | 5.5 | V |
工作温度 | TOPR | - | -40 | +25 | +85 | °C |
储存温度 | TOTG | - | -55 | - | +125 | °C |
频率特征
项目 | 符号 | 条件 | 额定值 | 单位 |
---|---|---|---|---|
频率公差 | Δ f/f | Ta=+25°C VBAT=3.0V |
B: 5±23 *1) AA: 5±5 *2) AC: 0±5 *2) |
×10-6 |
振荡器启动时间 | tSTA | Ta=+25°C VDD=3.0V |
1 Max. | s |
频率电压特征 | f/V | Ta = +25°C VDD=2.4V to 5.5V |
±1 Max. | ×10-6 |
*1) 相当于每月 ±1 分偏差 (除了偏移量)。
*2) 相当于每月 ±13 秒偏差 (除了偏移量)。
功耗特征 *Ta=-40°C to +85°C
项目 | 符号 | 条件 | Min. | Typ. | Max. | 单位 |
---|---|---|---|---|---|---|
功耗 | IBAT | RX-4035LC VBAT = 3.0V, VDD = 0.0V CE = 0V, CLKOUT = open |
- | 400 | 1200 | nA |
IDD | VDD = 3.0V CE = 0V CLKOUT = open |
- | 1.40 | 2.50 | µA |
电源检测电压 *Ta=-40°C to +85°C
项目 | 符号 | 条件 | Min. | Typ. | Max. | 单位 |
---|---|---|---|---|---|---|
VBAT 检测电压 | VLOW | - | 1.10 | 1.25 | 1.40 | V |
电源转换电压 (VDD to VBAT). |
VD2B | +25°C | 2.328 | 2.40 | 2.472 | V |
引脚功能定义
信号名称 | 输入/输出 | 功能 |
---|---|---|
VBAT | - | 后备电源供电 |
Vout | 输出 | 转换电源输出(最大输出电流20mA) |
CE | 输入 | SPI芯片使能 |
CLK | 输入 | SPI串行时钟 |
SO | 输出 | SPI数据输出 |
SI | 输入 | SPI数据输入 |
GND | - | 接地 |
EVIN1 | 输入 | 外部事件输入引脚1 |
EVIN2 | 输入 | 外部事件输入引脚2 |
/INT | 输出 | 中断输出引脚 |
CLKOUT | 输出 | 32.768kHz时钟输出引脚 (CMOS. 不能禁止) |
N.C. | - | 不能连接 |
VDD | - | 主电源供电 |
引脚连接 / 外部尺寸规格
(单位: mm)
停止使用胶水
一旦LC封装的产品焊接到电路板上任何胶水都不得使用,这个产品在封装的背面有玻璃。
当胶水浸入到电路板和玻璃的中间,由于胶水的热膨胀玻璃将会破碎。
既然这样会导致晶体停振,所以必须考虑废除胶水或者不让胶水接触到LC的封装。
推荐焊盘尺寸
(单位: mm)
为了维持稳定运行,在接近晶体产品的电源输入端处(在VDD-GND之间)添加一个0.1μF的去耦电容。